IS61LV6416
特点
64K ×16高速CMOS静态RAM
采用3.3V电源
??高速存取时间:8, 10,12,和15纳秒
• CMOS低功耗运行
- 250毫瓦(典型值)的操作
- 250 μW (典型值)待机
• TTL兼容接口电平
•单3.3V电源
•全静态操作:无时钟或刷新
需要
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
描述
该
1+51
IS61LV6416是一个高速, 1048576位静态
RAM (16位)组织为65,536字。据制作
运用
1+51
的高性能CMOS技术。这种高度
再加上创新的电路设计可靠的工艺
技术,产量的存取时间快8 ns的低功耗
消费。
当
CE
为高(取消) ,器件处于待机
模式,在该功率耗散可以被降低
CMOS输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供,
输出使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )
访问。
该IS61LV6416打包在JEDEC标准的44引脚
400mil SOJ , 44引脚400mil TSOP - 2 ,以及48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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