IS61NW6432
IS61NW6432
64K ×32的同步静态RAM
WITH NO- WAIT态总线特点
特点
•快速存取时间：
?? 5 NS- 100 MHz的; 6 NS- 83 MHz的;
?? 7 NS- 75 MHz的;为8ns -66 MHz的;
•无之间的读写等待周期
•内部自定时写周期
•单个字节写入控制
•时钟控制，注册地址，数据和
控制
•奔腾
TM
使用或Inear突发顺序控制
MODE INPUT
??三芯片使简单的深度的深度
扩展和地址，流水线
•常见的数据输入和数据输出
• JEDEC 100引脚LQFP和PQFP封装
• + 3.3V单电源供电
??可选的数据选通引脚（ ＃ 80） ，用于锁存数据
（参见第12页详细的时序）
描述
该IS61NW6432是一种高速，低功耗的同步
静态RAM设计为提供一个可破裂的，高性能的，
无等待公交车，奔腾， 680X0的二级缓存，和
Power PC的微处理器。它是作为65,536字
32位，制造与ICSI先进的CMOS工艺。
结合一个无等待公交车，等待周期被淘汰时，
从读总线开关来写，或写阅读。这
器件集成了2位串计数器，高速SRAM
芯和高驱动能力输出到单个单片
电路。
所有同步输入通过一个控制寄存器
正边沿trggered时钟输入。操作可能是可持
挂起，所有的同步输入时被忽略时钟使能，
CEN
为HIGH 。在这种状态下，内部器件会举行
以前的值。
当ADV / LD为高电平内部突发计数器
递增。新的外部地址可以被加载时，
ADV / LD低。
写周期是内部自定时的，由发起
上升的时钟输入边和当RD / WE为低电平。
单独的字节使能允许写入indiviual字节。
BW1
控制I / 01 -I / P8 ;
BW2
控制I / O9 -I / O16 ; BW3控制I /
O17-I/O24;
BW4
控制I / O25 -I / O32 。所有字节写入
当
BW1 ， BW2 ， BW3 ，
和
BW4
是低的。
在上电时MODE引脚处于交错突发模式。它可以是
连接到GND或VCC
Q
改变电状态。
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SSR006-0B
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