IS62C1024LL
IS62C1024LL
.eatures
128K ×8低功耗CMOS静态RAM
??高速存取时间: 70纳秒
低有功功率: 350毫瓦(典型值)
低待机功率: 125 μW (典型值) CMOS
待机
•输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
?? .ully静态操作:无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V ( ± 10 % )电源
??数据保持电压: 2V (分钟)
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术,产生高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能( WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62C1024LL可在32引脚600mil DIP , 450mil
SOP和8 * 20毫米TSOP- 1封装。
描述
该
1+51
IS62C1024LL是一款低功耗, 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
1+51
的高
.UNCTIONAL框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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