IS62C1024
IS62C1024
128K ×8高速CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间： 35 ， 45 ， 55 ， 70纳秒
•
低有功功率： 450毫瓦（典型值）
•
低待机功率： 500 μW （典型值） CMOS
待机
•输出使能（ OE ）和两个芯片使能
（ CE1和CE2 ）输入，便于应用
•全静态操作：无时钟或刷新
需要
• TTL兼容的输入和输出
•单5V （ ± 10 ％ ）电源
描述
该
ICSI
IS62C1024是一款低功耗， 131,072字由8位
CMOS静态RAM 。它是使用制造
ICSI
的高
高性能CMOS技术。这种高度可靠的过程
再加上创新的电路设计技术，产生高
高性能和低功耗的器件。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62C1024可在32引脚600mil DIP ， SOP 450mil
8 * 20毫米TSOP- 1封装。
功能框图
A0-A16
解码器
512 x 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候，恕不另行通知，以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年，集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR016-0B
1
ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
