IS62LV1024L
IS62LV1024L/LL
IS62LV1024LL
128K ×8低功耗和低Vcc的
CMOS静态RAM
.eatures
?? 45 , 55 ,和70 ns访问时间
低有功功率: 60毫瓦(典型值)
低待机功率: 15 μW (典型值) CMOS
待机
•低数据保持电压: 2V (分钟)
??可在低功率( -L )和
超低功耗( -LL )
•输出使能( OE )和两个芯片使能
( CE1和CE2 )输入,便于应用
• TTL兼容的输入和输出
?? 2.7V至3.6V单电源供电
描述
该
1+51
IS62LV1024L和IS62LV1024LL低功耗
低Vcc时, 131,072字由8位CMOS静态RAM 。他们
使用的是制造
1+51
的高性能CMOS技
术。这再加上创新的电路高度可靠的工艺
设计技术,得到更高的性能和低功耗
消费设备。
当
CE1
为高或CE2为低(未选中)时,器件
假设待机模式,在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展,通过使用两个芯片使能提供
输入,
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能( WE)
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62LV1024L和IS62LV1024LL在32引脚可用
8 * 20毫米的TSOP -1, 8 * 13.4毫米的TSOP -1, 450mil SOP和48引脚
6 * 8毫米T. -BGA 。
.UNCTIONAL框图
A0-A16
解码器
512 X 2048
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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LPSR018-0D 2001年7月6日
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