IS62LV12816L
IS62LV12816LL
IS62LV12816L
IS62LV12816LL
128K ×16低电压,超低
低功耗CMOS静态RAM
特点
•高速存取时间: 55 , 70 , 100纳秒
CMOS低功耗运行
- 120毫瓦(典型值)的操作
- 6 μW (典型值) CMOS待机
• TTL兼容接口电平
??单2.7V - 3.6V的Vcc电源
??全静态操作:无时钟或刷新重
quired
•三态输出
•为上下字节的数据控制
•工业应用温度
•提供44引脚TSOP -2和48引脚
6 * 8毫米TF -BGA
描述
该
1+51
IS62LV12816L和IS62LV12816LL是高速,
2.097,152位的静态RAM, 16组织为131,072字
位。他们使用的是制造
1+51
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术,产量高的性能和
低功耗设备。
当
CE
为高(取消),或者当
CE
低,都
LB
和
UB
高,设备假定在待机模式
该功率耗散可以通过使用CMOS可以减少
输入电平。
易内存扩展,通过使用芯片使能提供
输出使能输入,
CE
和
OE 。
该低电平有效写
使能( WE)控制写入和读取的存储器。
一个数据字节允许高字节( UB )和低字节( LB )
访问。
该IS62LV12816L和IS62LV12816LL封装在
JEDEC standare 44引脚400mil TSOP - 2和48引脚6 * 8毫米
TF- BGA 。
功能框图
A0-A16
解码器
128K ×16
存储阵列
VCC
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
ICSI保留随时更改其产品在任何时候,恕不另行通知,以改进设计和提供最好的产品的权利。我们对任何错误概不负责
它可能出现在本出版物中。 ©版权所有2000年,集成电路解决方案公司
集成电路解决方案公司
SR020-0C
1