IS62LV2568L
IS62LV2568LL
IS62LV2568L
IS62LV2568LL
256K ×8低功耗和低V
++
CMOS静态RAM
特点
?? 55 ， 70 ， 100 ns的访问时间
??低有功功率： 126毫瓦（最大，L ， LL ）
低待机功率： 36 μW （最大值， L）和7.2
μW （最大值， LL ） CMOS待机
??低数据保持电压： 1.5V （分钟）
??可在低功率（ -L ）和超低
功率（ -LL ）
•输出使能（ OE ）和两个芯片使能
• TTL兼容的输入和输出
??单2.7V - 3.6V电源
??可在32引脚8x20mm TSOP - 1 ， 32针
8x13.4mm TSOP - 1和48引脚6 * 8毫米TF -BGA
描述
该
1+51
IS62LV2568L和IS62LV2568LL低功耗
低V
CC
， 262,144位字的8位CMOS静态RAM 。
他们使用的是制造
1+51
的高性能CMOS
技术。这再加上创新高可靠的工艺
略去电路设计技术，得到更高的性能和
低功耗设备。
当
CE1
为高或CE2为低（未选中）时，器件
假设待机模式，在该功率耗散能
通过使用CMOS输入电平被减少。
易存储器扩展，通过使用两个芯片使能提供
输入，
CE1
和CE2 。该低电平有效写使能（ WE）
同时控制写入和读取的存储器。
该IS62LV2568L和IS62LV2568LL在32引脚可用
8 * 20毫米的TSOP -1， 8 * 13.4毫米的TSOP -1和48引脚6 * 8毫米TF-
BGA 。
功能框图
A0-A17
解码器
2048 x 128 x 8
存储阵列
VCC
GND
I / O
数据
电路
I/O0-I/O7
列I / O
CE1
CE2
OE
WE
控制
电路
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