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IS62LV2568LL-55HI 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV2568LL-55HI图片预览
型号: IS62LV2568LL-55HI
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内容描述: 256K ×8低功耗和低Vcc的CMOS静态RAM [256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 455 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62LV2568L
IS62LV2568LL
写周期开关特性
(1,2)
(以上经营范围,标准和低功耗)
符号
参数
写周期时间
CE1
撰写完
CE2撰写完
地址建立时间撰写完
从写端地址保持
地址建立时间
WE
脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
分钟。
55
45
45
45
0
0
50
25
0
—
5
-55
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
分钟。
70
65
65
65
0
0
55
30
0
—
5
-70
马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
-100
MIN 。 MAX
100
80
80
80
0
0
70
40
0
—
5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WC
t
SCE
1
t
SCE
2
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
(4)
t
SD
t
HD
t
HZWE
(3)
WE
从低到高-Z输出
t
LZWE
(3)
WE
前高后低-Z输出
注意事项:
1.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间,定时1.5V的参考电平,输入脉冲0.4V的水平
在图1中规定的2.2V输出负载。
2.在图测试与负载2的过渡,从稳态电压测量± 500毫伏。未经100%测试。
3.内部写入时间由的重叠限定
CE1
LOW , HIGH CE2和
WE
低。所有信号都必须在有效状态
开始写的,但任何一个可以变为无效,终止写入。数据输入建立时间和保持时间都引用
到终止写信号的上升沿或下降沿。
4.与测试
OE
高。
AC波形
写周期NO 。 1
(
WE
控制
)
(1,2)
t
WC
地址
t
SCE1
t
HA
CE1
t
SCE2
CE2
t
AW
t
PWE
(4)
t
SA
t
HZWE
高-Z
WE
t
LZWE
DOUT
数据中,未定义
t
SD
t
HD
DIN
DATA-内有效
集成电路解决方案公司
SR025_0C
7