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    IS62LV2568LL-70BI 参数 Datasheet PDF下载

    IS62LV2568LL-70BI图片预览
    型号： IS62LV2568LL-70BI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256K ×8低功耗和低Vcc的CMOS静态RAM [256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 455 K
    品牌： ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
     浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IS62LV2568LL-70BI的Datasheet PDF文件第10页  
    IS62LV2568L
    IS62LV2568LL
    写周期NO 。 2
    （ CE1 ， CE2控制）
    (1,2)
    t
    WC
    地址
    t
    SA
    t
    SCE1
    t
    HA
    CE1
    t
    SCE2
    CE2
    t
    AW
    t
    PWE
    (4)
    WE
    t
    HZWE
    t
    LZWE
    高-Z
    DOUT
    数据中，未定义
    t
    SD
    t
    HD
    DIN
    DATA-内有效
    注意事项：
    1.内部写入时间是由重叠定义
    CE1
    LOW ， HIGH CE2和
    WE
    低。所有信号都必须在有效状态
    开始写的，但任何一个可以变为无效，终止写入。数据输入建立时间和保持时间都引用
    到终止写信号的上升沿或下降沿。
    2. I / O将承担高阻状态，如果
    OE
    =V
    IH
    .
    8
    集成电路解决方案公司
    SR025_0C

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