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IS62LV2568LL-70H 参数 Datasheet PDF下载

IS62LV2568LL-70H图片预览
型号: IS62LV2568LL-70H
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内容描述: 256K ×8低功耗和低Vcc的CMOS静态RAM [256K x 8 LOW POWER and LOW Vcc CMOS STATIC RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 10 页 / 455 K
品牌: ICSI [ INTEGRATED CIRCUIT SOLUTION INC ]
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IS62LV2568L
IS62LV2568LL
真值表
模式
未选择
(掉电)
输出禁用
WE
X
X
H
H
L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
I / O操作
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
IN
VCC电流
I
SB

, I
SB
I
SB

, I
SB
I
CC
I
CC
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
V
CC
T
BIAS
T
英镑
P
T
参数
相对于GND端子电压
相关的Vcc与GND
在偏置温度
储存温度
功耗
价值
-0.5〜 VCC + 0.5
-0.3到+4.0
-40至+85
-65到+150
0.7
单位
V
V
°C
°C
W
注意事项:
1.应力超过绝对最大额定值可能会造成永久性损伤
装置。这是一个额定值,器件运行在超过或任何其他条件
与本规范的业务部门所标明是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意事项:
1.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
DC电气特性
(以上经营范围)
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
(1)
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -1.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 2.1毫安
分钟。
2.2
—
2.2
–0.3
–1
–1
马克斯。
—
0.4
V
CC
+ 0.3
0.4
1
1
单位
V
V
V
V
µA
µA
GND
V
IN
V
CC
GND
V
OUT
V
CC
注意事项:
1. V
IL
=& 2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
集成电路解决方案公司
SR025_0C
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