GA150TS60U 参数 Datasheet PDF下载

型号：	GA150TS60U
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内容描述：	半桥IGBT INT -A- PAK超FastTM高速IGBT [HALF-BRIDGE IGBT INT-A-PAK Ultra-FastTM Speed IGBT]
分类和应用：	晶体晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网
文件页数/大小：	11 页 / 224 K
品牌：	ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]

PD - 50056D

GA150TS60U

"HALF - BRIDGE" IGBT INT -A- PAK

特点

•第四代IGBT技术

•超快：高操作优化

频率8-40 kHz的硬开关， >200

kHz的谐振模式

•极低的传导和开关损耗

• HEXFRED

™

反并联二极管超软

恢复

•行业标准包装

• UL认证

超快速

高速IGBT

CES

600

（ ON）（典型值）。

= 1.7V

15V

150A

好处

•提高工作效率

•直接安装到散热器

•电源转换性能优化： UPS ，

SMPS ，焊接

•更低的电磁干扰，需要较少的冷落

绝对最大额定值

参数

CES

@ T

= 25°C

ISOL

@ T

= 25°C

@ T

= 85°C

英镑

集电极 - 发射极电压

连续集电极电流

脉冲采集CurrentQ

峰值切换CurrentR

峰值二极管正向电流

门极 - 发射极电压

RMS隔离电压，任何终端到表壳， T = 1分

最大功率耗散

工作结温范围

存储温度范围

马克斯。

600

150

300

±20

2500

440

230

-40到+150

-40到+125

单位

°C

热/机械特性

参数

θJC

θCS

热阻，结到外壳 - IGBT

热阻，结到外壳 - 二极管

热电阻，外壳到散热器 - 模块

安装扭矩，外壳到散热器

安装扭矩，凯斯到1号航站楼， 2 & 3

模块的重量

典型值。

—

0.1

—

200

马克斯。

0.28

0.35

—

6.0

5.0

—

单位

° C / W

www.irf.com

05/20/02

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