ICS501
LOCO ™
PLL时钟乘法器
外部元件
去耦电容
对于任何高性能的混合信号IC,该
ICS501必须从系统的电源分离
噪音进行优化。
0.01μF的去耦电容必须连接
之间的VDD和GND 。它必须连接
靠近ICS501以减少引线电感。没有
外部电源滤波所需的
ICS501.
晶体负载电容
芯片上的总电容约为12pF的。一
并联谐振,基本模式晶体应该是
使用。该器件晶振连接应包括
垫,用于小电容从X1到地面,并从
X 2接地。这些电容器用于调节
电路板的寄生电容相匹配的名义上
所需的晶体负载电容。由于负载
电容只能在此修整增加
过程中,要保持杂散电容到是很重要的
最低用很短的PCB走线(无孔)
晶体和器件之间。水晶电容,如果
需要的话,必须从各个销X1的连接
和X2接地。
这些水晶瓶盖的值(单位为pF )应该等于
(C
L
-12 pF的)* 2 。在这个方程,C
L
=晶体负载
电容的单位为pF 。例如:对于一个16 pF的晶体
负载电容,每个电容的晶体将8 pF的
[(16-12) x 2] = 8.
系列终端电阻
一个33Ω终端电阻,可以使用旁边的CLK
引脚走线长度超过一英寸。
MDS 501 ķ
在TE GRAT主编电路SYST EMS
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3
525镭CE圣REET ,加利福尼亚州圣何塞, 9512 6
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修订版071304
吨EL ( 4 08 ) 297 201 -1
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