初步
集成
电路
系统公司
ICS83905
L
OW
S
KEW
, 1:6 C
RYSTAL
I
覆盖整个院落
-
TO
-
LVCMOS / LVTTL ˚F
ANOUT
B
UFFER
测试条件
最低
3.135
1.6
典型
3.3
1.8
待定
待定
最大
3.465
2.0
单位
V
V
µA
µA
T
ABLE
4E 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
T
ABLE
4F 。 P
OWER
S
UPPLY
DC ç
极特
,
V
DD
= 2.5V±5%, V
DDO
= 1.8V ± 0.2V ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DDO
I
DD
I
DDO
参数
核心供电电压
输出电源电压
电源电流
输出电源电流
测试条件
最低
2.375
1.6
典型
2.5
1.8
待定
待定
最大
2.625
2.0
单位
V
V
µA
µA
T
ABLE
4G 。 LVCMOS / LVTTL DC ç
极特
,
T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
参数
输入高电压
ENABLE1,
ENABLE2
测试条件
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
IL
输入低电压
ENABLE1,
ENABLE2
V
DD
= 3.3V ± 5%
V
DD
= 2.5V ± 5%
V
DD
= 1.8V ± 0.2V
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OH
输出高电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OH
= -1mA
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
V
DDO
= 3.3V ±5％ ;注1
V
OL
输出低电压
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;我
OL
= 1毫安
V
DDO
= 2.5V ±5％ ;注1
V
DDO
= 1.8V ±0.2V ;注1
最低
2
1.7
0.65*V
DD
-0.3
-0.3
-0.3
2.6
2
1.8
V
DD
- 0.3
0.5
0.4
0.45
0.35
典型
最大
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
1.3
0.7
0.35*V
DD
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DDO
/ 2 。参见参数测量部分， "Load测试Circuit"图。
83905AM
http://www.icst.com/products/hiperclocks.html
4
REV 。一2005年1月20日
ICS [ INTEGRATED CIRCUIT SYSTEMS ]
