IDT2305
3.3V零延迟时钟缓冲器
商用和工业温度范围
典型的占空比
(1)
我
DD
趋势
(2)
FOR IDT2305-1
占空比VS V
DD
（为30pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
占空比（ ％ ）
杜TY周期VS V
D D
（为10pF的负载结束了频率 - 3.3V ，25°C ）
60
58
56
54
52
50
48
46
44
42
40
33M赫兹
66M赫兹
100M赫兹
133M赫兹
54
52
50
48
46
44
42
40
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
33M ħ ž
66M ħ ž
100M赫兹
3
3.1
3.2
3.3
3.4
3.5
3.6
V
DD
(V)
占空比与频率
（为30pF的负载过温 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
V
DD
(V)
杜TY Ç ycle VS FRE曲ency
（为10pF的负载超过tem温度 - 3.3V ）
60
58
56
占空比（ ％ ）
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
54
52
50
48
46
44
42
40
20
40
60
80
100
120
140
-40C
0C
25C
70C
85C
频率（MHz）
I
DD
VS加载输出数
（为30pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
140
120
100
80
60
140
120
100
80
60
频率（M赫兹）
I
D D
VS的Loade D 2 O utputs民BER
（为10pF的负载在频率 - 3.3V ，25°C ）
I
DD
（M A）
33M ħ ž
66M ħ ž
100M赫兹
I
DD
（MA ）
33M ħ ž
66M赫兹
100M赫兹
40
20
0
0
2
4
6
8
40
20
0
0
2
4
6
8
加载输出数
加载Ø utputs数
注意事项：
1.占空比是从1.4V时测得的典型芯片。
2. I
DD
数据是从我计算
DD
= I
CORE
+ nCVf ，在那里我
CORE
是空载电流。输出（ N =人数;每路输出（F C =电容负载） ;
V =电源电压（ V） ; F =频率（Hz ） ）
8
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
