CMOS静态RAM
16K （ 2K ×8位）
IDT6116SA
IDT6116LA
x
特点
高速存取和芯片选择次
- 军事： 20/25 /35 / 55分之45 / 70 / 120分之90 /为150ns （最大值）
- 工业： 20/25 /35 /为45nS （最大）
- 商业： 15/20 /25/ 35 /为45nS （最大）
低功耗
电池备份操作
- 2V的数据保持电压（LA版本）
以生产先进的CMOS高性能
技术
CMOS工艺几乎消除了α粒子的软错误
价格
输入和输出直接TTL兼容
静态操作：不需要时钟或刷新
可在陶瓷和塑料的24引脚DIP ， 24引脚薄型DIP，
24引脚SOIC和24引脚SOJ
军工产品符合MIL -STD - 833 ， B类
描述
该IDT6116SA / LA是16,384位高速静态RAM
组织为2K X 8.采用IDT的高性能制造，
高可靠性的CMOS技术。
存取时间快15ns的都可用。该电路还提供了一个
降低功耗的待机模式。当
CS
变为高电平时，电路将
自动去，并保持在一个备用电源模式下，只要
as
CS
仍然很高。此功能提供了显著的系统级
电源和冷却的节省。低功耗（ LA ）的版本还提供了一个
电池备份数据保持能力，其中所述电路通常
仅消耗1μW至4μW经营过一个2V的电池。
所有的输入和IDT6116SA / LA的输出为TTL兼容。十分
静态异步电路使用，无需时钟或刷新
用于操作。
该IDT6116SA / LA封装采用24引脚600和300密耳的塑料或
陶瓷DIP封装， 24引脚的鸥翼SOIC和24引脚J-弯曲SOJ提供
高板级封装密度。
军工级产品符合生产到最新
版本MIL -STD - 883 ， B类中，使得它非常适合军事
温度要求苛刻的应用程序的性能的最高水平，
可靠性。
x
x
x
x
x
x
x
x
功能框图
A
0
V
CC
地址
解码器
A
10
128 X 128
内存
ARRAY
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
,
CS
OE
WE
控制
电路
3089 DRW 01
2001年2月
1
©2000集成设备技术有限公司
DSC-3089/03
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
