IDT6116SA/LA
CMOS静态RAM 2K （ 16K ×8位）
军事，商业，以及在dustrial温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围）
6116SA15
(1)
符号
参数
分钟。
马克斯。
6116SA20
6116LA20
分钟。
马克斯。
6116SA25
6116LA25
分钟。
马克斯。
6116SA35
6116LA35
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(3)
t
OE
t
OLZ
(3)
t
CHZ
(3)
t
OHZ
(3)
t
OH
t
PU
(3)
t
PD
(3)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
芯片得色择要输出的高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片Desele CT断电时间
15
____
____
____
20
____
____
____
25
____
____
____
35
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3089 TBL 12
15
15
____
19
20
____
25
25
____
35
35
____
5
____
5
____
5
____
5
____
10
____
10
____
13
____
20
____
0
____
0
____
5
____
5
____
10
8
____
11
8
____
12
10
____
15
13
____
____
____
____
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
5
0
____
____
____
____
____
15
20
25
35
AC电气特性
(V
CC
= 5V ±10 ％ ，全温度范围） （待续）
6116SA45
6116LA45
符号
参数
分钟。
马克斯。
6116SA55
(2)
6116LA55
(2)
分钟。
马克斯。
6116SA70
(2)
6116LA70
(2)
分钟。
马克斯。
6116SA90
(2)
6116LA90
(2)
分钟。
马克斯。
6116SA120
(2)
6116LA120
(2)
分钟。
马克斯。
6116SA150
(2)
6116LA150
(2)
分钟。
马克斯。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ
(3)
t
OE
t
OLZ
(3)
t
CHZ
(3)
t
OHZ
(3)
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
芯片得色择要输出的高阻
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
45
____
____
55
____
____
70
____
____
90
____
____
120
____
____
150
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3089 TBL 13
45
45
____
55
50
____
70
65
____
90
90
____
120
120
____
150
150
____
____
____
____
____
____
____
5
____
5
____
5
____
5
____
5
____
5
____
25
____
40
____
50
____
60
____
80
____
100
____
5
____
5
____
5
____
5
____
5
____
5
____
20
15
____
30
30
____
35
35
____
40
40
____
40
40
____
40
40
____
____
____
____
____
____
____
5
5
5
5
5
5
注意事项：
1. 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3.此参数保证与AC负载（图2）器件特性，但不生产测试。
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
