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    IDT6116SA20SO 参数 Datasheet PDF下载

    IDT6116SA20SO图片预览
    型号： IDT6116SA20SO
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位） [CMOS STATIC RAM 16K (2K x 8 BIT)]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 95 K
    品牌： IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
     浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第8页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第9页浏览型号IDT6116SA20SO的Datasheet PDF文件第10页  
    IDT6116SA/LA
    CMOS静态RAM 16K （ 2K ×8位）
    军用和商用温度范围
    读循环中没有时序波形。 1
    (1, 3)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    OE
    t
    OE
    CS
    t
    OHZ （ 5 ）
    t
    OLZ （ 5 ）
    t
    ACS
    t
    CLZ （ 5 ）
    t
    CHZ
    (5)
    数据
    OUT
    I
    CC
    V
    CC
    供应
    电流
    I
    SB
    t
    PU
    数据
    有效
    t
    PD
    3089 DRW 06
    读循环中没有时序波形。 2
    (1, 2, 4)
    t
    RC
    地址
    t
    AA
    t
    OH
    数据
    OUT
    以前的数据有效
    数据有效
    3089 DRW 07
    t
    OH
    读周期3号的时序波形
    (1, 3, 4)
    CS
    t
    CLZ （ 5 ）
    数据
    OUT
    注意事项：
    1.
    WE
    为高的读周期。
    2.设备不断将选择
    CS
    是低的。
    3.地址有效之前或与重合
    CS
    变为低电平。
    4.
    OE
    是低的。
    5.转换测量
    ±500mV
    从稳定状态。
    t
    ACS
    t
    CHZ
    数据有效
    (5)
    3089 DRW 08
    5.1
    7

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