IDT7005S/L
高速8K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
RAM用于16位或更多的字的系统。采用IDT MAS-
TER / 16位或更宽SLAVE双口RAM的方法
存储器系统的应用程序的结果在全速无差错
操作而不需要额外的分立逻辑。
该器件提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。受控制的自动断电功能
CE
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
采用IDT的CMOS高性能技制造
术，这些设备通常在功率仅为750MW操作。
低功率（ L）版本提供电池备份数据保留
与500μW的从2V典型功耗能力
电池。
的IDT7005封装在陶瓷68针的PGA ，一个68-
引脚四方扁平封装， 68引脚PLCC和64引脚薄型塑料
四方扁平封装（ TQFP ） 。军工级产品制造
捕获的原始图像，符合MIL -STD- 883的最新版本，
B类，使它非常适合军用温度
苛刻的最高性能水平和应用
可靠性。
销刀豆网络gurations
(1,2)
I / O
1L
I / O
0L
N / C
SEM
L
4
W
L
R/
6
5
指数
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
6R
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
9
8
7
3
N / C
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
2
1 68 67 66 65 64 63 62 61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
OE
L
CE
L
IDT7005
J68-1
F68-1
PLCC / FLATPACK
顶视图
(3)
A
5L
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
忙
L
忙
R
INT
R
GND
M/
S
44
26
27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
I / O
7R
N / C
SEM
R
N / C
N / C
GND
A
12R
A
11R
A
10R
A
9R
A
8R
A
7R
A
6R
A
5R
OE
R
W
R
CE
R
R/
L
SEM
L
I / O
1L
I / O
0L
指数
59
58
57
64
63
62
56
55
54
53
52
61
60
I / O
2L
I / O
3L
I / O
4L
I / O
5L
GND
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
V
CC
I / O
3R
I / O
4R
I / O
5R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
51
50
49
N / C
V
CC
A
12L
A
11L
A
10L
A
9L
A
8L
A
7L
A
6L
A
5L
OE
L
2738 DRW 02
CE
L
R/
W
48
47
46
45
44
A
4L
A
3L
A
2L
A
1L
A
0L
INT
L
IDT7005
PN-64
TQFP
顶视图
(3)
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
忙
L
GND
M/
S
10
11
12
13
14
15
忙
R
INT
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
20
21
22
23
24
25
17
18
19
26
27
28
29
30
31
A
7R
A
8R
A
6R
I / O
6R
I / O
7R
SEM
R
A
12R
R/
R
A
11R
A
10R
CE
R
OE
R
GND
A
9R
A
5R
N / C
32
16
33
注意事项：
1.所有的Vcc引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.本文并不表示实际的部分标记的方向。
6.06
W
2738 DRW 03
2
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
