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IDT7007S20PF 参数 Datasheet PDF下载

IDT7007S20PF图片预览
型号: IDT7007S20PF
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内容描述: 高速32K ×8双端口静态RAM [HIGH-SPEED 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 21 页 / 257 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT7007S/L
高速32K ×8双端口静态RAM
军事,工业和商业温度范围
5V
5V
893Ω
数据
OUT
INT
数据
OUT
347Ω
30pF
347Ω
5pF*
893Ω
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为5ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
2940 TBL 11
.
2940 DRW 05
2940 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
(对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具。
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(4,5)
7007X15
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
旗语地址访问时间
15
____
____
____
____
7007X20
Com'l只有
分钟。
马克斯。
7007X25 Com'l
&放大器;军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
____
____
____
____
25
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2940 TBL 12A
15
15
10
____
____
20
20
12
____
____
25
25
13
____
____
3
3
____
3
3
____
3
3
____
10
____
12
____
15
____
0
____
0
____
0
____
15
____
20
____
25
____
10
____
10
____
12
____
15
20
25
7007X35
Com'l &
军事
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
旗语地址访问时间
35
____
____
____
____
7007X55
Com'l ,工业
&放大器;军事
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
55
____
____
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2940 TBL 12B
35
35
20
____
____
55
55
30
____
____
3
3
____
3
3
____
15
____
25
____
0
____
0
____
35
____
50
____
15
____
15
____
35
55
注意事项:
1.转换测量± 200mV的从低或高阻抗电压与输出负载测试(图2 ) 。
2.这个参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
3.要访问的RAM ,
CE
= V
IL
SEM
= V
IH
。要访问信号量,
CE
= V
IH
SEM
= V
IL
.
部分4号“X”表示额定功率(S或L ) 。
5.工业级温度:其他的速度,封装和权力联系您的销售办事处。
8