IDT7024S/L
高速4K ×16双口静态RAM
军用和商用温度范围
真值表I - 非争读/写控制
输入
(1)
输出
CE
H
X
L
L
L
L
L
L
X
R/
W
X
X
L
L
L
H
H
H
X
OE
X
X
X
X
X
L
L
L
H
UB
X
H
L
H
L
L
H
L
X
LB
X
H
H
L
L
H
L
L
X
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
X
I / O
8-15
高-Z
高-Z
数据
IN
高-Z
数据
IN
数据
OUT
高-Z
高-Z
I / O
0-7
高-Z
高-Z
高-Z
数据
IN
数据
IN
高-Z
两个字节取消选择
模式
取消：掉电
写字节上仅
写低字节只
写两个字节
读高字节只
数据
OUT
读低字节只
高-Z
输出禁用
2740 TBL 03
数据
OUT
数据
OUT
阅读两个字节
注意：
1. A
0L
— A
11L
不等于A
0R
— A
11R.
真值表II - 旗语读/写控制
(1)
输入
输出
CE
H
X
H
X
L
L
R/
W
H
H
OE
L
L
X
X
X
X
UB
X
H
X
H
L
X
LB
X
H
X
H
X
L
SEM
L
L
L
L
L
L
I / O
8-15
I / O
0-7
模式
数据
OUT
数据
OUT
阅读信号灯标志数据输出
数据
OUT
数据
OUT
阅读信号灯标志数据输出
数据
IN
数据
IN
—
—
数据
IN
数据
IN
—
—
写I / O
0
到信号灯标志
写I / O
0
到信号灯标志
不允许
不允许
u
u
X
X
2740 TBL 04
注意：
1.有通过我写的八个信号旗/ O
0
和所有的I / O的（我的读/ O
0
- I / O
15
） 。这八个信号灯由A处理
0
- A
2
.
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
广告
军事
-0.5到+7.0
单位
V
端电压-0.5到+7.0
对于
到GND
操作
温度
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
0至+70
-55到+125
-55到+125
50
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
–0.5
(1)
典型值。
5.0
0
—
—
MAX 。 UNIT
5.5
0
6.0
(2)
0.8
V
V
V
V
2740 TBL 06
T
A
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
-55到+125
-65到+135
-65到+150
50
°C
°C
°C
mA
V
IL
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V。
注意事项：
2740 TBL 05
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个应力
值仅为器件在这些或任何其他功能操作
以上这些条件在此业务部门所标明
规范是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.5V对循环时间的25％以上或
为10ns最大，并且被限制为< 20毫安期间超过V
TERM >
VCC
+ 0.5V
.
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）仅TQFP
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
电容
(1)
注意事项：
2740 TBL 07
1.该参数是由器件特性决定的，但并不
生产测试。
2. 3DV引用当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.15
4
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
