HIGH -SPEED 8K ×16
顺序访问
随机存取存储器（ SARAM ™ ）
集成设备技术有限公司
IDT70825S
/
L
产品特点：
• 8K ×16顺序存取随机存取记忆体
（ SARAM
™
)
- 从一个端口和标准随机顺序访问
从另一个端口访问
- 单独的上层字节和的低字节控制
随机接入端口
•高速运行
- 为20ns吨
AA
用于随机接入端口
- 为20ns吨
CD
对于连续的端口
- 25ns的时钟周期时间
•基于双口RAM的细胞结构
•静电放电> 2001V ， Ⅱ类
•兼容英特尔BMIC和82430 PCI套装
•宽度和深度扩展
•顺序方
- 基于地址的标志缓冲控制
- 指针逻辑支持两个内部缓冲区
•电池备份操作-2V的数据保留
• TTL兼容，单5V （ ± 10 ％ ）电源
•提供80引脚TQFP和84引脚PGA
•军用产品符合MIL -STD- 883 。
•工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范。
描述：
该IDT70825是一个高速8K ×16位的顺序
访问随机存取存储器（ SARAM ） 。在SARAM
提供单芯片解决方案，以缓冲数据依次在一个
端口，并随机地（异步地）通过访问
另一端口。该装置具有双端口RAM的基
体系结构与标准SRAM接口用于随机
（异步）接入端口，并配有主频接口
对于顺序（同步）访问计数器测序
端口。
采用CMOS高性能技术制造，
这种存储设备一般工作在低于900MW
功率最大的高速时钟到数据随机
访问。自动断电功能，通过控制
CE
,
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的
备用电源模式。
该IDT70825封装在一个80引脚薄型塑料四方
扁平封装（ TQFP ）或84引脚陶瓷针栅阵列（ PGA ） 。
军用级产品的制造符合
MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之成为理想的
适用于军用温度要求苛刻的应用程序的
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
A
0-12
13
SCLK
随机
ACCESS
PORT
控制
顺序
ACCESS
PORT
控制
R/
最低位
最高位
1
2
8K ×16
内存
ARRAY
I/O0-15
16
13
SR /
16
16
数据
L
ADDR
L
13
数据
R
ADDR
R
注册。
13
SI/O0-15
RST
13
13
13
指针/
计数器
起始地址缓冲区＃ 1
结束地址缓冲区＃ 1
起始地址缓冲区＃ 2
结束地址缓冲区＃ 2
流量控制缓冲区
标志状态
13
1
比较
2
3016 DRW 01
IDT标志为注册商标， SARAM是集成设备技术公司的商标。
军用和商用温度范围
©1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-3016/6
6.31
1
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
