IDT70825S/L
HIGH -SPEED 8K ×16顺序存取随机存取存储器
军用和商用温度范围
复位（
RST
)
环境
RST
低电平复位SARAM的控制状态。
RST
异步的SCLK功能（即未注册） 。
是在复位操作后的默认状态如下：
注册
地址指针
EOB标志
缓冲流模式
起始地址缓冲区＃ 1
结束地址缓冲区＃ 1
起始地址缓冲区＃ 2
结束地址缓冲区＃ 2
国家注册
SCE
目录
0
清高邦
缓冲区链接
0
4095
4096
8191
(1)
(4K)
(4K+1)
(8K)
3016 TBL 15
= V
IH
， SR /
W
= V
IL
buffer命令模式（
CMD
)
buffer命令模式（
CMD
）允许随机存取
口来控制两个缓冲器的状态。地址引脚
0
-A
2
和I / O引脚I / O
0
-I / O
12
用于访问缓冲区的开始
和缓冲器地址和结束时，以设定流量控制
每个缓冲器的模式。缓冲区命令模式还允许
读取和清除的EOB标志的状态。七
不同的CMD的情况下都可以根据不同的条件
A的系统蒸发散
0
-A
2
和R / W 。地址位A
3
-A
12
和数据I / O位
I / O
13
-I / O
15
这个操作过程中不被使用。
随机接入端口
CMD
模式
(1)
案例＃
1
2
3
4
5
6
7
8
A2-A0
000
001
010
011
100
101
101
110/111
R/
W
0 (1)
0 (1)
0 (1)
0 (1)
0 (1)
0
1
(X)
说明
写（读）的缓冲区＃1的起始地址通过I / O
0
-I / O
12
.
写（读）的缓冲区＃ 1的结束地址通过I / O
0
-I / O
12
.
写（读）的缓冲区＃2的起始地址通过I / O
0
-I / O
12
.
写（读）的缓冲液＃2的结束地址通过I / O的
0
-I / O
12
.
写（读）流量控制寄存器
只写 - 明确EOB
1
和/或EOB
2
旗
只读 - 标志状态寄存器
（保留）
3016 TBL 16
注意：
1. R/
W
输入"0 （1） "指示写（0）或读（1）具有相同的地址输入上出现的。
案例1到4 ：开始缓冲寄存器描述和END
(1,2)
15
最高位
H
14
H
13
H
12 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 0
地址加载到缓冲区
LSB I / O位
注意事项：
3016 DRW 10
1. "H" = V
OH
对于和I / O的输出状态"Don't Cares"的I / O输入状态。
2.写入到缓冲区时发生R /
W
= V
IL
和读出时，读/
W
= V
IH
.
EOB
1/
SOB
1
EOB
2/
SOB
2，通过地址A0 -A2 ，而选择
CMD
= V
IL
和
CE
= V
IH
.
案例5：缓冲液流模式
内SARAM ，用户可以指定四个1
缓冲流模式为每个缓冲区。每个缓冲区流模式
定义了一组独特的动作的顺序的端口地址
指针和EOB标志。在缓冲区链模式下，后
地址指针到达缓冲器的结尾时，它设置在
相应的EOB标志，并从起始地址继续
其他缓冲液中。在STOP模式下，地址指针停
递增后到达缓冲器的结尾。线性
模式时，该地址指针忽略缓冲器地址的末端
与过去吧增量，但设置EOB标志。 MASK模式
一样的线性模式，除了EOB标志未设置。
6.31
9
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
