IDT70V24S/L
HIGH -SPEED 3.3V 4K ×16双口静态RAM
商业级温度范围
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V24S
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V至V
CC
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
10
10
0.4
—
IDT70V24L
分钟。
—
—
—
2.4
马克斯。
5
5
0.4
—
单位
µA
µA
V
V
2911 TBL 08
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
注意：
1.在Vcc
≤
2.0V输入泄漏是不确定的。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V24X25
符号
参数
工作动态
I
CC
当前
（两个端口均有效）
TEST
条件
CE
= V
IL
，输出打开
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
VERSION
COM 。
典型值。
(2)
80
80
马克斯。
140
120
70V24X35
典型值。
(2)
马克斯。
70
115
70
100
70V24X55
典型值。
(2)
MAX 。 UNIT
70
115
mA
70
100
S
L
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
COM 。
S
L
12
10
25
20
10
8
25
20
10
8
25
20
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
=V
IL和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
=V
IH(5)
有源端口输出打开
f = f
MAX(3)
COM 。
S
L
40
40
82
72
35
35
72
62
35
35
72
62
mA
I
SB3
全待机电流
（这两个端口 - 所有
CMOS电平输入）
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
-0.2V
COM 。
S
L
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
1.0
0.2
5
2.5
mA
I
SB4
全待机电流
（一个端口 - 所有
CMOS电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
< 0.2
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
＆ GT ; V
CC
-0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ，主动港
输出打开，
f = f
MAX(3)
COM 。
S
L
50
50
81
71
45
45
71
61
45
45
71
61
mA
注意事项：
2911 TBL 09
1. "X"部分数字表示额定功率（S或L ） 。
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CC DC
= 70毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC
，并使用“AC测试条件”
GND的输入电平为3V 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.38
5
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
