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IDT70V25L25PF 参数 Datasheet PDF下载

IDT70V25L25PF图片预览
型号: IDT70V25L25PF
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内容描述: 高速3.3V 8K ×16双口静态RAM [HIGH-SPEED 3.3V 8K x 16 DUAL-PORT STATIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 22 页 / 179 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT70V25S/L
高速8K ×16双口静态RAM
工业和商业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(4)
70V25X15
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
(3)
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(1,2)
芯片禁用断电时间
(1,2)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
信号灯地址访问
(3)
15
____
____
70V25X20
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
70V25X25
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
20
____
____
25
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2944 TBL 11A
15
15
15
10
____
20
20
20
12
____
25
25
25
13
____
____
____
____
____
____
____
____
____
____
3
3
____
3
3
____
3
3
____
____
____
____
10
____
12
____
15
____
0
____
0
____
0
____
15
____
20
____
25
____
10
____
10
____
10
____
15
20
25
70V25X35
Com'l
&工业
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
ABE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
t
SOP
t
SAA
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
(3)
字节使能存取时间
(3)
输出启用访问时间
(3)
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(1,2)
芯片禁用断电时间
(1,2)
信号标志更新脉冲( OE或
SEM )
信号灯地址访问
(3)
35
____
____
70V25X55
Com'l
&工业
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
55
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2944 TBL 11B
35
35
35
20
____
55
55
55
30
____
____
____
____
____
____
____
3
3
____
3
3
____
____
____
15
____
25
____
0
____
0
____
35
____
50
____
15
____
15
____
35
55
注意事项:
1.转变是从与输出负载测试(图2 )低或高阻抗电压测量0mV 。
2.这个参数是由设备特性保证,但未经生产测试。
3.要访问的RAM ,
CE
= V
IL
,
UB
or
LB
= V
IL
SEM
= V
IH
.
要访问信号量,
CE
= V
IH
or
UB
&放大器;
LB
= V
IH
SEM
= V
IL
.
部分4号“X”表示额定功率(S或L ) 。
6.42
8