IDT71024
CMOS静态RAM 1MEG （ 128K ×8位）
军事，工业和商业温度范围
AC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10 ％ ，全温度范围）
符号
参数
71024S12
(1)
分钟。马克斯。
71024S15
分钟。马克斯。
71024S17
(3)
71024S20 71024S25
(2)
分钟。
MAX 。 MIN 。 MAX 。 MIN 。 MAX 。
单位
读周期
t
RC
t
AA
t
ACS
t
CLZ(4)
t
CHZ(4)
t
OE
t
OLZ(4)
t
OHZ(4)
t
OH
t
PU(4)
t
PD(4)
读周期时间
地址访问时间
芯片选择访问时间
片选在低Z输出
取消芯片输出高-Z
输出使能到输出有效
输出使能，以在低Z输出
输出禁用输出高阻
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片取消掉电时间
12
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
12
12
—
6
6
—
5
—
—
12
15
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
15
15
—
7
7
—
5
—
—
15
17
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
17
17
—
8
8
—
6
—
—
17
20
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
20
20
—
8
8
—
7
—
—
20
25
—
—
3
0
—
0
0
4
0
—
—
25
25
—
10
10
—
10
—
—
25
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
写周期
t
WC
t
AW
t
CW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
DH
t
OW(4)
t
WHZ(4)
写周期时间
地址有效到结束时的写
芯片选择到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写恢复时间
数据有效到结束时的写
数据保持时间
输出从主动结束了，写
写使能在高阻输出
12
10
10
0
10
0
7
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
5
17
13
13
0
13
0
9
0
3
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
7
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
8
25
15
15
0
15
0
10
0
4
0
—
—
—
—
—
—
—
—
—
9
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2964 TBL 010
注意事项：
1. 0 ° C至+ 70 ° C的温度范围内只。
2， -55 ° C至+ 125 ° C的温度范围内只。
3. 0 ° C至+ 70 ° C和-55°C至+ 125 ° C的温度范围内只。
4.此参数保证与交流负载（图2）器件特性，但不生产测试。
5
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
