IDT7130SA / LA和IDT7140SA / LA
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(7)8
M824S258M824S30
7130X20
符号
参数
(1)
7132158M824S4
7130X100
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7130X25
(9)
(9)
7130X35
7130X55
分钟。马克斯。
—
—
—
—
12
—
—
5
—
5
0
12
—
—
20
20
20
20
—
40
30
—
25
—
—
—
40
30
7140X25
7140X35
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
—
—
—
—
15
—
—
5
—
5
0
15
—
—
20
20
20
20
—
50
35
—
35
—
—
—
50
35
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
20
20
20
20
—
60
35
—
35
—
—
—
60
35
7140X55 7140X100
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
30
30
30
30
—
80
55
—
50
—
—
—
80
55
—
—
—
—
20
—
—
5
—
5
0
20
—
—
50
50
50
50
—
120
100
—
65
—
—
120
100
繁忙时间（对于主lDT7130只）
忙
从地址访问时间
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
WH
t
WDD
t
DDD
t
APS
忙
禁止时间从地址
忙
从芯片使能存取时间
忙
禁止时间从芯片使能
写后举行
忙
(6)
(2)
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据的延迟
(2)
仲裁优先建立时间
(3)
t
BDD
忙
禁止以有效数据
(4)
繁忙时间（对于从IDT7140只）电子
t
WB
t
WH
t
WDD
t
DDD
写
忙
输入
(5)
写后举行
忙
(6)
写脉冲数据延迟
(2)
写数据有效读取数据的延迟
(2)
注意事项：
2689 TBL 11
1. Com'l只， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。 PLCC只有TQFP封装。
2.端口到端口延迟通过从写端口到端口读取RAM单元，请参阅“写时序波形与端口到端口读取和
忙
0."
3.为了确保两个端口的较早者获胜。
4. t
BDD
是一个计算出的参数，并且是0越大，叔
WDD
– t
WP
（实际的） ，或T
DDD
– t
DW
（实际的） 。
5.为了确保写周期的争端口'A'期间禁止在端口'B' 。
6.为了确保写周期的争端口'A'后完成端口“B” 。
在部件编号7 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
8.不适用于DIP封装。
写时序波形与端口到端口读取和
忙
(2,3,4)
t
WC
ADDR
’A’
MATCH
t
WP
R/
W
’A’
t
DW
t
DH
有效
t
APS
(1)
数据
IN'A “
ADDR
’B’
MATCH
t
北京经济技术开发区
t
BDD
忙
’B’
t
WDD
数据
OUT'B “
注意事项：
1.为了确保两个端口的较早者获胜。吨
BDD
被忽略的奴隶（ IDT7140 ） 。
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL 。
3. OE = V
IL
为读端口。
4.所有的时序是相同的左，右端口。口'A'可以是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
有效
t
DDD
2689 DRW 12
6.01
9
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
