IDT7132SA / LA和IDT7142SA / LA
HIGH -SPEED 2K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
读周期2号，一左一右的时序波形
(3)
t
ACE
CE
t
AOE
(4)
t
HZ
(2)
OE
t
LZ
数据
OUT
t
LZ
I
CC
当前
I
SS
t
PU
50%
(1)
(1)
t
HZ
有效数据
t
PD
(4)
(2)
50%
2692 DRW 08
注意事项：
1.时间取决于该信号被断言最后，
OE
or
CE
.
2.时间取决于该信号首先deaserted ，
OE
or
CE
.
3. R/
W
= V
IH
和地址是有效的之前或同时用
CE
变为低电平。
4.启动有效数据取决于哪个时间生效上次吨
AOE
, t
ACE
,
t
AA
和
t
BDD
.
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(5)
7132X20
(2)
7132X25
(6)
符号
参数
写周期
t
WC
写周期时间
(3)
t
EW
芯片使能写操作的结束
t
AW
地址有效到写结束
t
AS
地址建立时间
t
WP
把脉冲宽度
(4)
t
WR
写恢复时间
t
DW
数据有效到写结束
t
HZ
输出高阻时间
(1)
t
DH
数据保持时间
t
WZ
写使能输出高阻
(1)
t
OW
输出写入结束活动
(1)
分钟。
20
15
15
0
15
0
10
—
0
—
0
7142X25
马克斯。分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
10
—
10
—
25
20
20
0
15
0
12
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
10
—
10
—
(6)
7132X35
7132X55
7132X100
7142X100
分钟。马克斯。
100
90
90
0
55
0
40
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
40
—
40
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7142X35
7142X55
分钟。马克斯。分钟。马克斯。
35
30
30
0
25
0
15
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
15
—
15
—
55
40
40
0
30
0
20
—
0
—
0
—
—
—
—
—
—
—
25
—
30
—
注意事项：
2692 TBL 09
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。此参数是通过保证
器件特性，但并不生产测试。
2 0 ° C至+ 70只°C的温度范围内， PLCC封装而已。
3.主/从组合，T
WC
= t
BAA
+ t
WP
由于R /
W
=
V
IL
吨后，一定会出现
BAA
.
4.如果
OE
是低A R时/
W
控制的写入周期中，写入脉冲宽度必须吨的大
WP
或（T
WZ
+ t
DW
），以允许I / O驱动关闭
数据放置在总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是高A R时/
W
控制的写周期，这一要求并不适用，
记录脉冲可以是短至指定吨
WP
.
在部件编号5 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
6.不适用于DIP封装。
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
MAX 。 UNIT
V
IN
= 3DV
11
pF
V
IN
= 3DV
11
pF
注意事项：
2692 TBL 10
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是
生产测试。
2. 3DV表示当输入和内插的输出电容
信号转换为0V至3V或3V至0V 。
6.02
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
