IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
定时写周期第1号波形， R / W控制时序
(1,5,8)
W
t
WC
地址
t
AS
(6)
OE
t
AW
CE
or
SEM
(9)
t
WR
(3)
t
WP
读/写
t
LZ
数据
OUT
t
WZ
(7)
(4)
(2)
t
HZ
(7)
t
OW
(4)
t
HZ
(7)
t
DW
数据
IN
t
DH
2721 DRW 10
定时写周期2号的波形，
CE
时序控制
(1, 5)
t
WC
地址
t
AW
CE
or
SEM
(9)
(6)
(2)
(3)
t
AS
读/写
t
EW
t
WR
t
DW
数据
IN
t
DH
2721 DRW 11
注意事项：
1. R / W或
CE
必须在所有的地址转换为高。
2.在重叠（ T A写操作
EW
或T
WP
的），要么
CE
or
SEM
= V
IL
和R / W = V
IL
.
3. t
WR
是从较早的测量
CE
或读/写变为高电平，以结束写的周期。
4.在这期间，在I / O引脚的输出状态，并且输入信号必须不被应用。
5.如果
CE
同时发生或R / W的低转换后低的跳变时，输出保持在高阻抗状态。
6.定时取决于哪个使能信号（ CE或R / W）被断言最后。
7.此参数由设备特性保证，但未经生产测试。过渡测量0mV从稳态与输出负载测试
（图2） 。
8.如果
OE
是在一个R / W控制的写入周期为低，写脉冲的宽度必须是吨的大
WP
或（T
WZ
+ t
DW
），以允许I / O驱动以关闭数据放置在总线上
用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个R / W控制的写周期高电平时，此要求不适和写脉冲可短至指定吨
WP
.
9.要访问的SRAM ，
CE
=V
IL
和
SEM
= V
IH
。要访问信号量，
CE
= V
IH
和扫描电镜= V
IL
。任何一个条件必须是适用于整个吨
EW
时间。
9
6.42
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
