IDT7134SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双端口静态RAM
军用和商用温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压
(6)
（续）
符号
写周期
t
WC
t
EW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
DW
t
HZ
t
DH
t
WZ
t
OW
t
WDD
t
DDD
写周期时间
芯片使能到结束时的写
地址有效到结束时的写
地址建立时间
把脉冲宽度
写RecoveryTime
数据有效到结束时的写
输出高阻时间
(1, 2)
数据保持时间
(3)
写在高阻一个能输出
(1, 2)
输出从主动结束了，写
(1, 2, 3)
写脉冲数据延迟
(4)
写数据有效读取数据的延迟
(4)
45
40
40
0
40
0
20
—
3
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
—
20
—
70
45
55
50
50
0
50
0
25
—
3
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
25
—
25
—
80
55
70
60
60
0
60
0
30
—
3
—
3
—
—
—
—
—
—
—
—
—
30
—
30
—
90
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2720 TBL 10
参数
7134X45
分钟。
马克斯。
7134X55
分钟。
马克斯。
7134X70
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
1.转换测量
±500mV
从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
3.规范吨
DH
必须通过该设备的所有操作条件下供给的写入数据到RAM来满足。虽然吨
DH
和T
OW
值会有所不同
随电压和温度，实际吨
DH
总是会比实际吨小
OW
.
4.端口到端口延迟至RAM单元写入端口读取端口，请参阅“时序写出来与端口到端口读取波形” 。
5. （商业只） ， 0 ° C至+ 70 °C温度范围。
在部件编号6 “X”表示的额定功率（SA或LA） 。
时序波形写与港口到港读
(1)
t
WC
ADDR
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
MATCH
t
WP
R/
t
AW
W
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
t
DW
有效
数据
在"A"
ADDR
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
MATCH
t
WDD
数据
OUT "B"
t
DDD
注意事项：
1.写周期参数应该遵守，以确保正确的文字。
2.
CE
L =
CE
R =
V
IL 。
OE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IL 。
3.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
有效
2720 DRW 10
6.04
7
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
