快速
4K ×8双端口
静态RAM
集成设备技术有限公司
IDT7134SA/LA
产品特点：
•高速访问
- 军事：三十五分之二十五/ 45/ 55 / 70ns的（最大）
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
•低功耗运行
- IDT7134SA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT7134LA
主动： 500毫瓦（典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
•从任何一个端口完全异步操作
•电池备份操作-2V的数据保留
• TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
•有几个流行的密封塑料包
- 军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
•工业级温度范围（ -40 ° C至+ 85°C ）是可用的，
测试军用电气规范
描述：
的IDT7134的是一个高速4K ×8双端口静态RAM
设计的系统中使用，其中片上硬件端口
不需要仲裁。这部分适合于那些
不能忍受等待状态或设计的系统
能够从外部进行仲裁或承受争用时
双方同时访问相同的双端口RAM的
位置。
该IDT7134提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，允许独立的，
对于异步访问读或写操作的任何位置中
内存。这是用户的责任，以确保数据的完整性
当同时访问相同的存储器位置
从两个端口。自动断电功能，控制
by
CE
时，可允许芯片上的电路的每个端口的一个非常进入
低待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能的制作
技术，这些双端口通常在只有500mW的
力。低功耗（ LA ）的版本提供电池备份数据
保持能力，每个端口的典型功耗为200μW
从2V电池。
该IDT7134包装上无论是sidebraze或塑料
48引脚DIP ，48引脚LCC ， 52引脚PLCC和48引脚陶瓷
扁平。军工级产品符合生产
符合MIL -STD - 883 ， B类的最新版本，使之
非常适合军用温度要求苛刻的应用
最高级别的性能和可靠性。
功能框图
R/
W
L
R/
W
R
CE
L
CE
R
OE
L
I / O
0L
- I / O
7L
COLUMN
I / O
COLUMN
I / O
OE
R
I / O
0R
- I / O
7R
A
0L
- A
11L
LEFT SIDE
地址
解码
逻辑
内存
ARRAY
右侧
地址
解码
逻辑
A
0R
- A
11R
2720 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
©1996集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年10月
DSC-2720/4
6.04
1
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
