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IDT71V124SA15Y 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT71V124SA15Y
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内容描述: 3.3V CMOS静态RAM 1兆欧( 128K ×8位)中心电源和接地引脚 [3.3V CMOS Static RAM 1 Meg (128K x 8-Bit) Center Power & Ground Pinout]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT71V124SA , 3.3V CMOS静态RAM
1兆欧( 128K ×8位)中心电源&接地引脚
商用和工业温度范围
写周期1号的时序波形(我们控制时序)
(1,2,4)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS
WE
t
WHZ
(5)
高阻抗
数据
OUT
(3)
(3)
t
WP
(2)
t
WR
t
OW
(5)
t
CHZ
(5)
t
DW
数据
IN
数据
IN
有效
t
DH
3873 DRW 07
.
写周期2号( CS控制时间)的时序波形
(1, 4)
t
WC
地址
t
AW
CS
t
AS
WE
t
DW
数据
IN
数据
IN
有效
3873 DRW 08
t
CW
t
WR
(3)
t
DH
.
注意事项:
1.低重叠期间,写操作
CS
和一个低
WE 。
2.
OE
连续高。在一
WE
控制的写周期
OE
低,T
WP
必须大于或等于t
WHZ
+ t
DW
以允许I / O驱动以关闭和数据是
放到总线上用于所需吨
DW
。如果
OE
是在一个高
WE
控制的写周期,这一要求并不适用,最低写入脉冲是指定的T
WP
.
3.在此期间, I / O引脚处于输出状态,并且输入信号必须不被应用。
4.如果
CS
同时发生或之后的低的跳变
WE
低转换时,输出保持在高阻抗状态。
CS
必须在T为主动
CW
写入周期。
5.转变是从稳态测量± 200mV的。
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