低功耗
3.3V CMOS快速SRAM
256K （ 32K ×8位）
集成设备技术有限公司
IDT71V256SA
特点
•适用于高性能处理器的二级缓存
•商用（ 0 °至70° C）和工业级（-40°至85°C ）
温度选项
•快速访问次数：
- 商用10 /12/ 15 / 20ns的
- 工业：为15ns
•低待机电流（最大） ：
- 2毫安全备
•小封装为空间布局的效率：
- 28引脚300密耳SOJ
- 28引脚300密耳的塑料DIP （商业专用）
- 28引脚TSOP I型
•拥有先进的高性能CMOS生产
技术
•输入和输出是LVTTL兼容
•单3.3V （ ± 0.3V ）电源
描述
该IDT71V256SA是262,144位高速静态RAM
组织结构为32K x 8，它是采用IDT的高制作
高性能，高可靠性的CMOS技术。
该IDT71V256SA具有出色的低功耗character-
istics而同时保持非常高的perfor-
曼斯。作为快速AS10 ns的地址的访问时间是理想的
在3.3V的桌面设计， 3.3V的二级缓存。
当电源管理逻辑放IDT71V256SA中
待机状态下，其非常低的功率特性有助于
延长电池寿命。通过采取
CS
高电平时，将SRAM
自动进入一个低功耗待机模式和将保持
在待机状态下，只要
CS
仍然很高。此外，根据
全待机模式（
CS
在CMOS电平中，f = 0）时，功率消耗
灰是保证始终小于6.6mW ，并且通常
会小得多。
该IDT71V256SA封装在28引脚300密耳SOJ ， 28-
销300万塑料DIP和28引脚300密耳的TSOP I型
包装。
功能框图
A
0
地址
解码器
A
14
262,144位
存储阵列
V
CC
GND
I / O
0
输入
数据
电路
I / O
7
I / O控制
CS
OE
WE
控制
电路
3101 DRW 01
IDT标志是集成设备技术，Inc.的注册商标。
工业和商业温度范围
©1997
集成设备技术有限公司
1997年5月
DSC-3101/04
1
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
