CMOS异步FIFO
2048 x 9, 4096 x 9,
8192 ×9和16384 ×9
集成设备技术有限公司
IDT7203
IDT7204
IDT7205
IDT7206
产品特点：
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先入/先出的双端口存储器
2048 ×9的组织（ IDT7203 ）
4096 ×9的组织（ IDT7204 ）
8192 ×9的组织（ IDT7205 ）
16384 ×9的组织（ IDT7206 ）
高速：为12ns存取时间
低功耗
- 活动： 770mW （最大）
- 掉电： 44MW （最大）
异步和同步读写
在这两个词的深度和宽度完全可扩展
引脚和IDT720X家庭功能兼容
状态标志：空，半满，满
重传功能
高性能的CMOS技术
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
标准军用图纸＃ 5962-88669 （ IDT7203 ）
5962-89567 （ IDT7203 ）和5962-89568 （ IDT7204 ）是
在这个函数中列出
工业级温度范围（ -40
o
C至+ 85
o
C）是可用
能，测试军事电气规范
描述：
该IDT7203 /七千二百零五分之七千二百零四/ 7206顷双端口存储器缓冲的
ERS内部指针负荷和空数据在一线
/先出的原则。该设备采用满和空标志
防止数据溢出和下溢和扩展逻辑
允许无限制的扩展能力在这两个词的大小和
深度。
数据是通过使用切换进出该装置的
写（ ）和read（ ）引脚。
该装置9位宽度提供了一个位控制或奇偶
在用户的选项。它还具有一个重传（ ） capa-
相容性，使读指针被复位到其初始位置
当
是低脉冲。一个半满标志的使用
单一设备和宽度扩展模式。
该IDT7203 /七千二百零五分之七千二百零四/ 7206顷使用IDT制造的
高速CMOS技术。它们是专为应用程序
需要异步和同步读取阳离子/写
在多处理，速率缓冲，和其它应用。
军工级产品的制造符合
MIL -STD- 883的最新版本， B级。
W
R
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•
•
•
•
•
•
RT
RT
•
.
功能框图
数据输入
(D
0
–D
8
)
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
2048 x 9
4096 x 9
8192 x 9
16384 x 9
读
指针
三
状态
缓冲器
R
RS
读
控制
旗
逻辑
数据输出
(Q
0
–Q
8
)
RESET
逻辑
FL RT
EF
FF
/
XI
扩张
逻辑
XO HF
/
2661 DRW 01
IDT标志是集成设备张婷婷， Inc.的注册商标。
军用和商用温度范围
©1996
集成设备技术有限公司
有关最新信息，请联系IDT的网站www.idt.com或传真点播在408-492-8391 。
1996年12月
DSC-2661/9
5.04
1
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
