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IDT72221L35J 参数 Datasheet PDF下载

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型号: IDT72221L35J
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内容描述: CMOS SyncFIFO 64 ×9 , 256 ×9 , 512× 9 , 1024 X 9 , 2048 ×9和4096 ×9 [CMOS SyncFIFO 64 X 9, 256 x 9, 512 x 9, 1024 X 9, 2048 X 9 and 4096 x 9]
分类和应用: 先进先出芯片
文件页数/大小: 19 页 / 200 K
品牌: IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
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IDT72421 / 72201 /七万二千二百二十一分之七万二千二百一十一/ 72241分之72231 CMOS SyncFIFO ™
64 ×9 , 256 ×9 , 512× 9 , 1024 ×9 , 2048 ×9和4096 ×9
军用和商用温度范围
信号说明
输入
:
DATA IN (D
0
- D
8
) —
数据输入9位宽度的数据。
控制:
复位(
RS
)
- 复位完成时复位
(
RS
)输入为低电平状态。在复位过程中,内部
读写指针被设置到第一位置。复位的
前一个写操作可以在上电后需要
的地方。全旗(
FF
)和可编程几乎满标志
(
PAF
)将被重置为HIGH吨后
RSF
。空标志(
EF
)和
可编程几乎空标志(
PAE
)将被重置为低电平
吨后
RSF
。在复位时,输出寄存器初始化为所有
零和偏移寄存器被初始化为它们的默认
值。
写时钟( WCLK )
- 写周期的开始
低到高的写时钟( WCLK )的过渡。数据设定
建立和保持时间,必须满足在相对于所述低到高
写时钟( WCLK )的过渡。全旗(
FF
)和
可编程几乎满标志(
PAF
)与同步
相对于写入时钟的低到高的跳变
( WCLK ) 。
写和读时钟可以是异步或
重合。
写使能1 (
WEN1
)
- 如果FIFO被配置为
可编程标志,写使能1 (
WEN1
)是唯一
使能控制引脚。在这种配置中,当写使能1
(
WEN1
)为低电平时,数据可以被加载到输入寄存器和
在每个写时钟的低到高的跳变RAM阵列
( WCLK ) 。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
在这种配置中,当写使能1(
WEN1
)为高电平时,
输入寄存器保持之前的数据,也没有新的数据是
允许被加载到寄存器中。
如果FIFO被配置为具有两个写使能,其中
允许深度扩展中,有两个使能控制引脚。
看到写使能以下操作2款在这
配置。
为了防止数据溢出,全旗(
FF
)将变低,
抑制进一步的写操作。当完成一个
有效的读周期,满标志(
FF
)会去吨后高
WFF
,
允许一个有效的写操作开始。写使能1 (
WEN1
)是
忽略了当FIFO满。
读时钟( RCLK )
- 数据可以在读取输出
读时钟( RCLK )的低到高的转变。该
空标志(
EF
)和可编程几乎空标志(
PAE
)
关于同步到低到高的跳变
的读出时钟( RCLK ) 。
写和读时钟可以是异步或
重合。
读使能(
REN1
,
REN2
)
- 当两个读使能
(
REN1
,
REN2
)是低电平时,数据从RAM阵列读
在读的低到高转换输出寄存器
时钟( RCLK ) 。
当任一读使能(
REN1
,
REN2
)为高电平,则
输出寄存器保存的先前的数据和没有新的数据是
允许被加载到寄存器中。
当所有的数据已被从FIFO中时,空读
旗(
EF
)将变低,抑制了进一步的读取操作。一旦
一个有效的写操作已经完成,所述空
旗(
EF
)会去吨后高
REF
和一个有效的读取就可以开始。
在读使能(
REN1
,
REN2
)被忽略,当FIFO
是空的。
输出使能(
OE
)
- 当输出使能(
OE
)是
使能(低电平) ,并行输出缓冲器接收从数据
输出寄存器。当输出使能(
OE
)被禁用
(高电平)时,Q输出的数据总线处于高阻抗状态。
写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)
- 这是一个双
目的引脚。 FIFO被复位时配置有
可编程标志或有两个写使能,这
允许深度扩展。如果写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)
置高点重置(
RS
= LOW )时,此引脚用作第二
写使能引脚。
如果FIFO被配置为具有两个写使能,当
写使能(
WEN1
)低和写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)为高电平时,数据可以被加载到输入寄存器和
在每个写时钟的低到高的跳变RAM阵列
( WCLK ) 。数据被存储在RAM阵列顺序地和
独立于任何正在进行读操作。
在这种配置中,当写使能(
WEN1
)为高
和/或写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)为低电平时,输入
寄存器保存的先前的数据和没有新的数据被允许
被加载到寄存器中。
为了防止数据溢出,全旗(
FF
)将变低,
抑制进一步的写操作。当完成一个
有效的读周期,满标志(
FF
)会去吨后高
WFF
,
允许一个有效的写操作开始。写使能1 (
WEN1
)和写
启用2 /加载( WEN2 /
LD
)被忽略,当FIFO满。
在FIFO被配置为具有可编程的标志时
写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)为低电平复位
(
RS
=低) 。该IDT72421 / 72201 / 72221分之72211 /七万二千二百四十一分之七万二千二百三十一
器件包含4个8位的偏移寄存器可以装载
与输入端上的数据,或读出的输出。见图3
供的寄存器和默认值的大小的细节。
如果FIFO被配置为具有可编程的标志时
写使能1 (
WEN1
)和写使能2 /加载( WEN2 /
LD
)被设置为低,在输入三维数据被写入到空
(最低有效位)的偏移量上注册的第一个低到高
写时钟( WCLK )的过渡。数据被写入到
空(最高有效位),偏移在第二寄存器
低到高的写入时钟( WCLK ) ,过渡到
满(最低有效位)的偏移量上的第三过渡寄存器
和成满(最高有效位)抵消了注册
第四个转变。写入时钟的第五类过渡( WCLK )
再次写入到空(最低有效位),偏移寄存器。
5.07
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