IDT72V205 / 72V215 / 72V225 / 72V235 / 72V245 3.3V CMOS SyncFIFO
TM
256 ×18 ， 512 ×18 ， 1024 ×18 ， 2048 ×18 ，4096 ×18
商业和工业
温度范围
功能说明
计时模式： IDT标准VS第一个字告吹
（ FWFT ）模式
该IDT72V205 / 72V215 / 72V225 / 72V235 / 72V245支持两种不同的
定时操作模式。这些模式将操作的选择是
在复位（ RS ）配置过程中确定的。在一
RS
操作时，首先
负载（佛罗里达州） ，读取扩展输入（
RXI ）
并写扩展输入（ WXI ）引脚
用于选择每个表3所示。在IDT中的真值表的定时模式
标准模式下，写入到一个空的FIFO中的第一个字将不会出现在
数据输出线，除非执行一个特定的读操作。读操作，
其中包括启动读使能（ REN） ，使上升的阅读
时钟（ RCLK ）边缘，从内部存储器中的字将转移到该数据输出
线。在FWFT模式中，写入FIFO为空的第一个字是直接主频
到RCLK信号的3转换后的数据输出线。一
任
是否
没有被断言为访问的第一个字。
各种信号，输入和输出信号进行操作不同，具体取决于
上定时模式是有效的。
IDT标准模式
在这种模式下，状态标志
FF ， PAF ， HF ， PAE ，
和
EF
工作在
在表1中概述的方式将数据写入到FIFO中，写使能（ WEN）
必须为低。呈现给线路上的数据的数据将被移入FIFO
在写时钟（ WCLK ）的后续转换。第一次写操作后，
执行时，空标志（ EF）将变为高电平。后续写入将继续
填满FIFO中。可编程几乎空标志（ PAE）将变为高电平
在n + 1个字已被加载到FIFO ，其中n是空的偏移
值。默认设置此值在表1本的脚注说明
参数也可由用户编程。查看可编程标志节
偏载。
如果继续将数据写入到FIFO中，并且我们假定没有读
行动发生的地点，半满标志（ HF ）将切换到低一次
第129 （ 72V205 ） ，第257 （ 72V215 ） ，第513 （ 72V225 ） ，第一千○二十五（ 72V235 ） ，和
第二千〇四十九（ 72V245 ）字分别被写入FIFO 。继续
将数据写入到FIFO将导致可编程概 - 全标记（PAF ）
变低。再次，如果没有读被执行，则
PAF
将变低后（ 256米）
为IDT72V205写道， （ 512米）写的IDT72V215 ， （ 1024米）写
为IDT72V225 ， （2048米）写的IDT72V235和（ 4096米）写
为IDT72V245 。偏移“m”为全部的偏移值。这个参数也
用户可编程的。查看可编程标志偏载部分。如果有
是没有完全偏移指定，
PAF
就为低时，该设备31离
为IDT72V205 ， 63全满离全满了IDT72V215 ，和
127离全满了IDT72V225 / 72V235 / 72V245 。
当FIFO满时，满标志（ FF）将变低，抑制了进一步的写
操作。如果没有读出复位后执行，
FF
将去D越低后写道：
到FIFO 。 D = 256写的IDT72V205 ， 512为IDT72V215 ， 1024
为IDT72V225 ， 2048为IDT72V235 ，4096为IDT72V245 ，
分别。
如果FIFO为满时，所述第一读出操作将导致
FF
变高。
随后的读操作将导致
PAF
和半满标志（ HF）去
高电平时如果发生进一步的读取操作在表1中描述的条件，
没有写操作，可编程几乎空标志（ PAE ）会
低时，有FIFO中，其中n是空的偏移值n个字。
如果没有空的偏移指定，则
PAE
就为低时，该设备31
离完全空了IDT72V205 ， 63距完全是空的
为IDT72V215和127离完全空了IDT72V225 / 72V235 /
72V245 。继续读操作会导致FIFO是空的。当
最后一个字被从FIFO读出时，
EF
将变为低电平进一步抑制
读操作。
任
当FIFO为空，则忽略。
第一个字落空模式（ FWFT ）
在这种模式下，状态标志
红外光谱，血小板活化因子，HF
PAE和
OR
工作在
在表2中概述的方式将数据写入到FIFO中，
文
必须是低的。
呈现给线路上的数据的数据将被移入FIFO后续
WCLK的转变。进行第一次写入之后，将输出就绪（OR）的
标志将变低。后续写入将继续填补FIFO。
PAE
会
N + 2个字高后已加载到FIFO中，其中n是空的
偏移值。默认设置此值表示在表2中的脚注。
这个参数也可由用户编程。查看可编程标志节
偏载。
如果继续将数据写入到FIFO中，并且我们假定没有读
行动发生的地点时，
HF
会切换到低，一旦第130
（ 72V205 ） ，第258 （ 72V215 ） ，第514 （ 72V225 ） ，第一千零二十六（ 72V235 ）和第二千○五十
（ 72V245 ）字分别被写入FIFO 。继续写入数据
到FIFO将导致
PAF
变低。同样，如果没有读取执行，
该
PAF
将变低后（ 257米）写的IDT72V205 ， （ 513米）写
为IDT72V215 ， （ 1025米）写的IDT72V225 ， （ 2049米）的写入
该IDT72V235和（ 4097 -m）的写入为IDT72V245 ，其中m是满
偏移值。默认设置此值在表的脚注说明
2.
当FIFO满时，输入就绪（ IR ）标志将变为高电平，进一步抑制
写操作。如果没有读出复位后执行，
IR
会后，高
ð写入到FIFO 。 D = 257写的IDT72V205 ， 513为IDT72V215 ，
1025为IDT72V225 ， 2049为IDT72V235和4097的
IDT72V245 。另外，在FWFT模式的附加字，是由于容量
内存加上输出寄存器。
如果FIFO为满时，所述第一读出操作将导致
IR
标志变为低电平。
后续的读取操作将导致
PAF
和
HF
去高的
在表2中所述的条件。如果出现进一步的读操作，写操作不
操作中，
PAE
将变为低电平时，存在n + 1个字在FIFO中，在这里
n是空的偏移值。如果没有空的偏移指定，则
PAE
会
低时，该设备32远离完全空为IDT72V205 ， 64
离完全空了IDT72V215和128离完全
空IDT72V225 / 72V235 / 72V245 。持续读取操作会导致
在FIFO是空的。当最后一个字被从FIFO中读出
OR
会去HIGH抑制进一步的读操作。
任
被忽略，当FIFO
是空的。
可编程标志LOADING
满和空标志偏移值可以是用户可编程的。该IDT72V205 /
72V215 / 72V225 / 72V235 / 72V245具有内部寄存器，这些偏移。
默认设置是在表1和表2。偏移值的脚注表示
被加载到FIFO使用的数据输入线D
0
-D
11
。加载偏移
寄存器，装载（ LD ）引脚和
文
引脚必须保持低电平。数据上呈现
D
0
-D
11
将被转移到空抵销注册先低到高
WCLK的过渡。通过继续持有
LD
和
文
引脚为低电平，数据存在
D上
0
-D
11
将被转移到全开胶印机上的下一个过渡登记
的WCLK 。第三个转变再次写入空偏移寄存器。写作
所有偏移寄存器不必发生在同一时间。一个或两个偏移量寄存器
可以写入，然后通过使
LD
引脚为高电平时，FIFO返回
正常读/写操作。当
LD
引脚和
文
被再次置为低电平，
在下一个偏移值寄存器中顺序写入。
6
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
