CMOS异步FIFO
2,048 x 9, 4,096 x 9
8,192 x 9, 16,384 x 9
32,768 ×9和65,536 ×9
IDT7203
IDT7204
IDT7205
IDT7206
IDT7207
IDT7208
产品特点：
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先入/先出的双端口存储器
2048 ×9的组织（ IDT7203 ）
4096 ×9的组织（ IDT7204 ）
8,192 ×9的组织（ IDT7205 ）
16,384 ×9的组织（ IDT7206 ）
32,768 ×9的组织（ IDT7207 ）
65636 ×9的组织（ IDT7208 ）
高速：为12ns存取时间
低功耗
- 活动：的660mW （最大）
- 掉电： 44MW （最大）
异步和同步读写
在这两个词的深度和宽度完全可扩展
引脚和IDT720X家庭功能兼容
状态标志：空，半满，满
重传功能
高性能的CMOS技术
军工产品符合MIL -STD - 883 ， B类
标准军用图纸＃ 5962-88669 （ IDT7203 ） ， 5962-89567
（ IDT7203 ） ，以及5962-89568 （ IDT7204 ）都列在这个函数
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
（包胶专用）
绿色部分可用，请参阅订购信息
描述：
该IDT7203 /七千二百零五分之七千二百零四/七千二百○七分之七千二百○六/ 7208顷双端口内存缓冲区
与内部指针负载和空数据的一个先入/先出的基础。该
设备使用满和空标志，以防止数据溢出和下溢和
扩展逻辑，允许无限制的扩展能力在这两个词的大小和
深度。
数据通过使用写（W）的切换和输出设备，并
阅读（R ）引脚。
该设备的9位宽度提供了一个位在用户的控制或奇偶
选项。它还具有一个重传（ RT）功能，允许读指针
被复位到其初始位置时
RT
是低脉冲。一个半满标志
可以在单个设备和宽度扩展模式。
这些FIFO使用IDT的高速CMOS技术制造。
它们被设计用于需要异步和同步
读/在多，速度缓冲和其他应用程序的编写。
军工级产品的制造符合最新修订版
MIL -STD- 883 ， B类的
功能框图
数据输入
(D
0
-D
8
)
W
写
控制
写
指针
RAM阵列
2,048 x 9
4,096 x 9
8,192 x 9
16,384 x 9
32,768 x 9
65,536 x 9
读
指针
三
状态
缓冲器
R
读
控制
旗
逻辑
数据输出
(Q
0
-Q
8
)
RS
RESET
逻辑
FL / RT
EF
FF
XI
IDT和IDT标志是集成设备技术， Inc.的商标。
扩张
逻辑
XO / HF
2661 drw01
商业，军事和工业温度范围
1
©
2006年为Integrated Device Technology ， Inc.保留所有权利。更改产品，恕不另行通知。
2006年4月
DSC-2661/15
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
