IDT79R3051 / 79R3052综合RISControllers
商业级温度范围
性能概述
该IDT79R3051家庭实现了非常高的水平
性能。这种性能是基于：
•
一个高效的执行引擎。
CPU执行ALU
操作，并在一个单独的循环速率的存储操作，并且
有13个周期的有效负载时，与一个分支
的1.5个周期执行速率（基于所述能力
编译器，以避免软件互锁） 。因此，执行
操作时，发动机达到了35MIPS的性能
出缓存。
•
大型片上高速缓存。
该IDT79R3051家族包含
缓存它们基本上比在较大
当今的大多数嵌入式微处理器。这些大
缓存最小化总线事务的数量要求
并让R3051系列，实现实际持续
性能，非常接近其峰值执行率。
•
自治区乘法和除法运算。
该
IDT79R3051系列具有片上整数乘法器/
除法单元，其独立于其它的ALU 。这使得
在IDT79R3051家庭进行乘法或除法操作
系统蒸发散与其它整数操作的同时，使用一个单一的
乘或除的指令，而不是“一步”操作。
•
集成的写缓冲器。
该IDT79R3051系列具有
四深写缓冲区，它可以捕获存储AD-目标
礼服和数据处理器的执行速度和退役
它以较慢的主存储器存取速度的主存储器。
片上写缓冲器使用，无需为
处理器来执行存储操作时熄火。
•
突发读取支持。
该IDT79R3051家庭使
系统设计人员利用网页模式或半字节的RAM模式
执行读操作时，尽量减少主
存储器读罚款和增加有效的高速缓存命中
率。
这些技术的结合，以允许处理器来实现
35MIPS整数性能，以及超过64,000根据Dhrystones在
为40MHz ，而无需使用外部高速缓存或零等待状态的
存储器装置。
散热注意事项
该IDT79R3051系列采用特殊的包装技
niques改善的高速热性能亲
处理机。因此，所有版本的IDT79R3051家人都
包装腔下来的包装。
家庭成本最低的成员使用标准
腔向下，注塑PLCC封装（在"J"封装
年龄） 。这个包，加上功率降低技
早在上世IDT79R3051系列的设计采用，
允许运行速度为25MHz的。但是，在较高
速度，附加的热必须小心。
出于这个原因，在IDT79R3051家庭同时有
该MQUAD包（ "MJ"包），这是一个清一色
铝包带附连到一个正常的铜模具
引线框，安装在铝外壳。该MQUAD
允许管芯之间更高效的热传递
部分的由于的热扩散效果的情况下
铝。铝提供从少内阻
包到另一个，从而降低了的一端
整个封装的温度梯度，并因此
提出了对流和传导到更大的区域
印刷电路板对于给定的温度下进行。即使是名义量
气流将显着降低的结温
死，导致更低的工作温度。该MQUAD包
可在所有频率，并且是引脚和形式兼容
与PLCC封装。因此，设计人员可以选择使用
这个包不改变他们的PCB 。
在IDT79R3051家庭成员保障
的情况下温度范围为0℃至+ 85 ℃。的类型
该装置的包，速度（功率） ，以及气流的条件
影响其满足这种等效的环境条件
特定连接的阳离子。
相当于允许环境温度T
A
可以是
使用从壳体的到环境的热阻计算
(Ø
CA
）给定的包。下面的方程涉及
环境与外壳温度：
T
A
= T
C
- P * Ø
CA
其中P是最大功耗在热温
TURE ，计算通过使用最大余
CC
规范
该设备。
Ø为典型值
CA
在各个空气流示于
表1的各种软件包。
气流（英尺/分钟）
= CA
"J"套餐
"MJ"包*
0
29
22
200
26
14
400
21
12
600
18
11
800
16
9
1000
15
8
2874 TBL 01
可选的功能
该IDT79R3051家庭允许系统设计人员
配置操作的一些方面。这些方面是
成立时，该设备被重置，并且包括：
•大端与小端操作：
该部分可以是
配置为两种字节顺序惯例运作，
事实上，也可以动态地之间的切换
这两项公约。这便于应用程序的移植
从其它处理器体系结构，并且还允许跨
各种类型的处理器之间的通信
数据库。
•数据高速缓存中的一个或四个字笔芯：
内存
系统必须能够执行4字传送到的
满足高速缓存未命中。此选项允许的系统设
签名者对数据的一维和四字笔芯之间进行选择
高速缓存未命中，根据不同的性能的每个选项
带来了他的申请。
表1.热阻（ Ø
CA
）在各种气流
（ *估计：最终值待定）
5.3
8
IDT [ INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY ]
