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IW4025B 参数 Datasheet PDF下载

IW4025B图片预览
型号: IW4025B
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内容描述: 三路3输入NOR门高压硅栅CMOS [Triple 3-Input NOR Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 5 页 / 158 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
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IW4025B  
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Voltages Referenced to GND)  
VCC  
V
Guaranteed Limit  
Symbol  
VIH  
Parameter  
Test Conditions  
Unit  
V
-55°C  
25°C  
125  
°C  
Minimum High-Level VOUT=0.5V  
Input Voltage  
5.0  
10  
15  
3.5  
7
3.5  
7
3.5  
7
VOUT=1.0 V  
VOUT=1.5V  
11  
11  
11  
VIL  
VOH  
VOL  
Maximum Low -  
Level Input Voltage  
VOUT=0.5 V or VCC - 0.5 V  
VOUT=1.0 V or VCC - 1.0 V  
VOUT=1.5 V or VCC - 1.5 V  
5.0  
10  
15  
1.5  
3
4
1.5  
3
4
1.5  
3
4
V
V
V
Minimum High-Level VIN=GND  
Output Voltage  
5.0  
10  
15  
4.95  
9.95  
14.95  
4.95  
9.95  
14.95 14.95  
4.95  
9.95  
Maximum Low-Level VIN=GND or VCC  
Output Voltage  
5.0  
10  
15  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
IIN  
Maximum Input  
Leakage Current  
VIN= GND or VCC  
VIN= GND or VCC  
18  
±0.1  
±0.1  
±1.0  
μA  
μA  
ICC  
Maximum Quiescent  
Supply Current  
(per Package)  
5.0  
10  
15  
20  
0.25  
0.5  
1.0  
0.25  
0.5  
1.0  
7.5  
15  
30  
5.0  
5.0  
150  
IOL  
Minimum Output  
Low (Sink) Current  
VIN= GND or VCC  
UOL=0.4 V  
UOL=0.5 V  
mA  
mA  
5.0  
10  
15  
0.64  
1.6  
4.2  
0.51  
1.3  
3.4  
0.36  
0.9  
2.4  
UOL=1.5 V  
IOH  
Minimum Output  
VIN= GND or VCC  
High (Source) Current UOH=2.5 V  
UOH=4.6 V  
5.0  
5.0  
10  
-2.0  
-0.64  
-1.6  
-1.6  
-0.51  
-1.3  
-1.15  
-0.36  
-0.9  
UOH=9.5 V  
UOH=13.5 V  
15  
-4.2  
-3.4  
-2.4  
Rev. 00