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IN74ACT132N 参数 Datasheet PDF下载

IN74ACT132N图片预览
型号: IN74ACT132N
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内容描述: 施密特触发器输入高性能硅栅CMOS四路2输入与非门 [Quad 2-Input NAND Gate with Schmitt-Trigger Inputs High-Performance Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 触发器
文件页数/大小: 5 页 / 184 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
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IN74ACT132
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
OH
参数
最小高级别
输出电压
测试条件
I
OUT
-50
μA
V
IN
V
T
- 分或V
T
+ MAX
I
OH
= -12毫安
I
OH
= -24毫安
I
OH
= -24毫安
*
保证限制
25
°C
4.4
5.4
3.86
4.86
0.1
0.1
0.36
0.36
2.0
2.0
0.8
0.8
1.2
1.2
0.4
0.4
±0.1
±1.0
1.5
75
-75
4.0
40
-40 ° C至
85°C
4.4
5.4
3.76
4.76
0.1
0.1
0.44
0.44
V
V
单位
V
V
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
4.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
V
OL
最底层
输出电压
I
OUT
50
μA
V
IN
V
T
+ MAX
I
OL
= 12毫安
I
OL
= 24毫安
I
OL
= 24毫安
*
V
T
+ MAX
最大的正性
要输入阈值
电压
最低负
要输入阈值
电压
最大滞后
电压
最小滞后
电压
最大输入
漏电流
除了静态
电源电流
+最小动态
输出电流
+最小动态
输出电流
最大静态
电源电流
(每包)
V
OUT
=0.1 V
T
A
=最坏情况
V
OUT
= V
CC
- 0.1 V
T
A
=最坏情况
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
- 0.1 V
T
A
=最坏情况
V
OUT
= 0.1 V或V
CC
- 0.1 V
T
A
=最坏情况
V
IN
=V
CC
或GND
V
IN
=V
CC
-2.1 V
V
= 1.65 V最大
V
OHD
= 3.85 V MIN
V
IN
=V
CC
或GND
V
T
- 分
V
V
H
最大
V
H
I
IN
ΔI
CC
I
I
OHD
I
CC
V
V
μA
mA
mA
mA
μA
*
所有输出负载;输入阈值与输出测试有关。
+最大测试时间为2.0 ms ,一个输出一次加载。
注: V
H
=(V
T
+)-(V
T
-)
启示录00