技术参数
8位串行或并行输入/
串行输出移位寄存器
高性能硅栅CMOS
该IN74HC165A在引出线的LS / ALS165相同。该
设备输入与标准CMOS输出兼容;与上拉
电阻器,它们与LS / ALSTTL输出兼容。
该装置是一个8位的移位寄存器,由互补输出
的最后阶段。数据可以被加载到寄存器或者并行地或在
串行形式。当串行移位/并行加载输入为低电平时,数据是
并行异步加载。当串行移位/并行加载
输入为高时,数据被串行地加载在任一时钟的上升沿
或时钟禁止(见功能表) 。
在二输入NOR时钟可以通过组合两个来使用,也可以
独立的时钟源,或通过指定的时钟输入中的一个充当
作为时钟禁止。
•
输出直接连接到CMOS , NMOS和TTL
•
工作电压范围: 2.0〜 6.0 V
•
低输入电流: 1.0
µA
•
CMOS器件的高抗噪声特性
IN74HC165A
订购信息
IN74HC165AN塑料
IN74HC165AD SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
逻辑图
引脚分配
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
功能表
输入
串行移位/
并行加载
L
H
H
H
H
H
H
L
L
X
H
H
X
时钟
H
时钟
抑制
X
L
L
S
A
内部阶段
A-H
一... H
X
X
X
X
X
X
没有变化
Q
A
a
L
H
L
H
Q
B
-Q
G
B-G
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
Q
An
-Q
Fn
没有变化
产量
Q
H
h
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
Q
Gn
手术
X
L
H
L
H
X
X
异步并行加载
通过时钟串行移位
通过时钟串行移位
抑制
抑制时钟
无时钟
H
L
L
X
X
X =无关
Q
An
-Q
Fn
=数据从前面级移位
启示录00