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    IN74HCT374ADW 参数 Datasheet PDF下载

    IN74HCT374ADW图片预览
    型号： IN74HCT374ADW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 八路三态同相D触发器高性能硅栅CMOS [Octal 3-State Noninverting D Flip-Flop High-Performance Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 触发器栅
    文件页数/大小： 6 页 / 303 K
    品牌： IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
     浏览型号IN74HCT374ADW的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IN74HCT374ADW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IN74HCT374ADW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IN74HCT374ADW的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IN74HCT374ADW的Datasheet PDF文件第6页  
    IN74HCT374A
    AC电气特性
    (V
    CC
    =5.0 V
    ±
    10%, C
    L
    = 50pF的，输入吨
    r
    =t
    f
    = 6.0纳秒）
    保证限额
    符号
    参数
    25
    °C
    to
    -55°C
    30
    31
    30
    30
    12
    10
    15
    ≤85°C
    ≤125°C
    单位
    f
    最大
    t
    PLH
    , t
    PHL
    t
    PLZ
    , t
    PHZ
    t
    PZH
    , t
    PZL
    t
    TLH
    , t
    THL
    C
    IN
    C
    OUT
    最大时钟频率（ 50 ％占空比）
    （图1和4 ）
    最大传输延迟，时钟到Q
    （图1和4 ）
    最大传输延迟，输出使能到
    Q（图2和5 ）
    最大传输延迟，输出使能到
    Q（图2和5 ）
    最大输出转换时间，任何输出
    （图1和4 ）
    最大输入电容
    最大三态输出电容
    （输出高阻抗状态）
    功率耗散电容（每触发器）
    24
    39
    38
    38
    15
    10
    15
    20
    47
    45
    45
    18
    10
    15
    兆赫
    ns
    ns
    ns
    ns
    pF
    pF
    典型的25°C ，V
    CC
    =5.0 V
    65
    pF
    C
    PD
    用于确定空载动态功率
    消费：
    P
    D
    =C
    PD
    V
    CC2
    F +我
    CC
    V
    CC
    时序要求
    (V
    CC
    =5.0 V
    ±
    10%, C
    L
    = 50pF的，输入吨
    r
    =t
    f
    = 6.0纳秒）
    保证限额
    符号
    t
    SU
    t
    h
    t
    w
    t
    r,
    t
    f
    参数
    最小建立时间，数据以
    时钟（图3）
    最小保持时间，时钟
    到的数据（图3）
    最小脉冲宽度，时钟
    （图1）
    最大输入兴衰
    倍（图1）
    25
    °C
    to
    -55°C
    12
    5.0
    12
    500
    ≤85°C
    15
    5.0
    15
    500
    ≤125°C
    18
    5.0
    18
    500
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    启示录00

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