技术参数
IW4021B
8位移位寄存器
高压硅栅CMOS
该IW4021B是一个边沿触发的8位移位寄存器（并行用于─
串行转换器） ，具有同步串行数据输入（D
S
） ，一个时钟
输入（ CP ） ，异步高电平有效并行加载输入（ PL ） ，八
异步并行数据输入（P
0
-P
7
）和缓冲并行输出
从最后的三个阶段（Q
5
-Q
7
).
在并行数据输入（ P0 - P7 ）信息是异步
加载到寄存器中而并行加载输入（ PL ）为高电平，
独立时钟（ CP ）和串行数据（的D-
S
）输入。目前的数据
在寄存器被保存在并行的高到低转换
负载输入（ PL ） 。
当并行加载输入为低电平时，在串行数据输入数据
(D
S
）被移入第一寄存器位，并且所有数据在寄存器
移动一个位置对上的低电平至高电平转换
时钟输入（ CP ） 。
•
工作电压范围： 3.0〜 18 V
•
1最大输入电流
μA
在18 V以上全包温
范围; 100 nA的18 V 〜25℃
•
噪声容限（在整个封装温度范围） ：
1.0 V分钟@ 5.0 V电源
2.0 V分钟@ 10.0 V电源
2.5 V分钟@ 15.0 V电源
订购信息
IW4021BN塑料
IW4021BDW SOIC
T
A
= -55 °至125°C的所有软件包
引脚分配
逻辑图
功能表
串行操作：
t
n
n+1
n+2
n+3
CP
D
S
0
1
0
1
X
PL
0
0
0
0
0
Q
5
t=n+6
0
1
0
1
Q
5
P
7
D
Q
6
t=n+7
0
1
0
Q
6
Q
5
D
Q
6
D
Q
7
t=n+8
0
1
Q
7
Q
7
D
并行操作：
CP
D
S
PL P
5
P
6
X
PIN 16 = V
CC
PIN 8 = GND
X
1
D
D
X =无关
D = 1或0
启示录00
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