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IW4030BN 参数 Datasheet PDF下载

IW4030BN图片预览
型号: IW4030BN
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内容描述: 四异或门高压硅栅CMOS [Quad Exclusive-OR Gate High-Voltage Silicon-Gate CMOS]
分类和应用: 高压
文件页数/大小: 5 页 / 138 K
品牌: IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
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IW4030B
DC电气特性
(电压参考GND)
V
CC
符号
V
IH
参数
最小高级别
输入电压
最大的低 -
电平输入电压
最小高级别
输出电压
最底层
输出电压
最大输入
漏电流
最大静态
电源电流
(每包)
最小输出
低(漏)电流
测试条件
V
OUT
= 0.5V或V
CC
- 0.5V
V
OUT
= 1.0V或V
CC
- 1.0V
V
OUT
= 1.5V或V
CC
- 1.5V
V
OUT
= 0.5V或V
CC
- 0.5V
V
OUT
= 1.0V或V
CC
- 1.0V
V
OUT
= 1.5V或V
CC
- 1.5V
V
IN
= GND或V
CC
V
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
5.0
10
15
18
5.0
10
15
20
5.0
10
15
5.0
5.0
10
15
保证限额
≥-55°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.64
1.6
4.2
-2.0
-0.64
-1.6
-4.2
25°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±0.1
0.25
0.5
1.0
5.0
0.51
1.3
3.4
-1.6
-0.51
-1.3
-3.4
≤125
°C
3.5
7
11
1.5
3
4
4.95
9.95
14.95
0.05
0.05
0.05
±1.0
7.5
15
30
150
0.36
0.9
2.4
mA
-1.15
-0.36
-0.9
-2.4
单位
V
V
IL
V
V
OH
V
V
OL
V
IN
= GND或V
CC
V
I
IN
I
CC
V
IN
= GND或V
CC
V
IN
= GND或V
CC
μA
μA
I
OL
V
IN
= GND或V
CC
U
OL
=0.4 V
U
OL
=0.5 V
U
OL
=1.5 V
mA
I
OH
最小输出
V
IN
= GND或V
CC
高(资料来源)流U
OH
=2.5 V
U
OH
=4.6 V
U
OH
=9.5 V
U
OH
=13.5 V
启示录00