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    IW4053BD 参数 Datasheet PDF下载

    IW4053BD图片预览
    型号： IW4053BD
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 模拟多路复用器多路解复用器高性能硅栅CMOS [Analog Multiplexer Demultiplexer High-Performance Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 解复用器栅
    文件页数/大小： 7 页 / 195 K
    品牌： IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
     浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第1页浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IW4053BD的Datasheet PDF文件第7页  
    IW4053B
    DC电气特性
    数字部分
    V
    CC
    符号
    V
    IH
    参数
    最小高级别
    输入电压，
    通道选择或
    使能输入
    最大的低-Level
    输入电压，
    通道选择或
    使能输入
    最大输入
    漏电流，
    通道选择或
    使能输入
    最大静态
    电源电流（每
    包）
    测试条件
    V
    IS
    =V
    CC
    直通1kΩ的
    V
    EE
    =GND=0
    I
    IS
    <2μA所有OFF Chanels
    R
    L
    = 1kΩ的到GND
    V
    IS
    =V
    CC
    直通1kΩ的
    V
    EE
    =GND=0
    I
    IS
    <2μA所有OFF Chanels
    R
    L
    = 1kΩ的到GND
    V
    IN
    =V
    CC
    或GND
    V
    EE
    =GND=0
    V
    5
    10
    15
    5
    10
    15
    18
    保证限额
    ≥
    -55
    °
    C
    3.5
    7
    11
    1.5
    3
    4
    ±0.1
    ≤
    25
    °
    C
    3.5
    7
    11
    1.5
    3
    4
    ±0.1
    ≤
    125
    °
    C
    3.5
    7
    11
    1.5
    3
    4
    ±1.0
    单位
    V
    V
    IL
    V
    I
    IN
    µA
    I
    CC
    通道选择= V
    CC
    或GND
    V
    EE
    =GND=0
    5
    10
    15
    20
    5
    10
    20
    100
    5
    10
    20
    100
    150
    300
    600
    3000
    µA
    DC电气特性
    模拟部分
    V
    CC
    符号
    R
    ON
    参数
    最大“开”电阻
    测试条件
    V
    EE
    =GND=0
    V
    IS
    = GND到V
    CC
    V
    EE
    =GND=0
    V
    5
    10
    15
    5
    10
    15
    18
    保证限额
    ≥
    -55
    °
    C
    800
    310
    200
    -
    -
    -
    ±100
    ≤
    25
    °
    C
    1050
    400
    240
    10*
    15*
    5*
    ±100
    ≤
    125
    °
    C
    1150
    550
    320
    -
    -
    -
    ±1000
    单位
    Ω
    ∆R
    ON
    在最大差别
    之间的“ON”电阻
    任意两个通道在
    同一个包
    最大的场外渠道
    泄漏电流，在任何一
    通道
    最大的场外渠道
    泄漏电流，普通
    通道
    Ω
    I
    关闭
    V
    EE
    =GND=0
    nA
    V
    EE
    =GND=0
    18
    ±100
    ±100
    ±1000
    * - 典型值
    3

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