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    IW4503BD 参数 Datasheet PDF下载

    IW4503BD图片预览
    型号： IW4503BD
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 六角缓冲高压硅栅CMOS [Hex Buffer High-Voltage Silicon-Gate CMOS]
    分类和应用： 高压栅
    文件页数/大小： 6 页 / 208 K
    品牌： IKSEMICON [ IK SEMICON CO., LTD ]
     浏览型号IW4503BD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IW4503BD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IW4503BD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IW4503BD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IW4503BD的Datasheet PDF文件第6页  
    技术参数
    IW4503B
    六角缓冲器
    高压硅栅CMOS
    该IW4503B是具有三态输出十六进制非反相缓冲器
    高sink-和源电流能力。两个输出使能控制
    被提供，其中一个控制四个缓冲器和其他控制
    剩下的两个缓冲区。
    •
    工作电压范围： 3.0〜 18 V
    •
    1最大输入电流
    μA
    在18 V以上全包温
    范围; 100 nA的18 V 〜25℃
    •
    噪声容限（在整个封装温度范围） ：
    1.0 V分钟@ 5.0 V电源
    2.0 V分钟@ 10.0 V电源
    2.5 V分钟@ 15.0 V电源
    订购信息
    IW4503BN塑料
    IW4503BD SOIC
    T
    A
    = -55 °至125°C的所有软件包
    逻辑图
    引脚分配
    功能表
    输入
    启用1 ，启用2
    L
    L
    H
    Z =高阻抗
    X =无关
    PIN 16 = V
    CC
    PIN 8 = GND
    A
    L
    H
    X
    产量
    Y
    L
    H
    Z
    启示录00

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