含铅振荡器OCXO
金属包装20.5毫米× 20.5毫米
频率
输出电平
水平
占空比
上升/下降时间
输出负载
电源电压
电流(热身)
目前@ + 25 ç
控制电压( “V”选项)
坡
温度
操作
存储
环境的
包装信息
1.000 MHz至150.000兆赫
HC -MOS
' 0 ' = 10 %的Vcc最大, ' 1 ' = 90 % VCC最小值。
指定50 %
10%或
5 %,见表
10 ns(最大值) 。 @佛山< 16兆赫, 5 ns(最大值) 。 @佛山> 16兆赫
请参阅表
5.0 VDC
5%
600毫安最大。 @ 5.0 VDC
250毫安@ 5 VDC
2.5 VDC
2.0 VDC ,
8
PPM分钟。
积极
见工作温度表
-40 ° C至+ 85°C
请参阅附录B为资料
MSL =不适用,终止= E1
I411系列
正弦
+4 dBm时,
3 dBm的
不适用
不适用
50欧姆
零件料号指南
包
输入
电压
3 = 3.3 V
5 = 5.0 V
I411 -
9 = 12 V
示例型号:
操作
温度
7 = 0 ° C至+ 50°C
1 = 0 ° C至+ 70°C
6 = -10 C至+ 70 ç
3 = -20 C至+ 70 ç
对称
(占空比)
5 =五十五分之四十五最大。
6 =六十零分之四十最大。
I411 - 5151YV - 20.000兆赫
产量
1 = 10TTL / 15 pF的HC -MOS
3 = 15 pF的HC -MOS
6 = 30 pF的
A =正弦
稳定性
(单位:ppm )
Y =
0.5
1 =
0.25
2 =
0.1
3 =
0.05
*
电压
控制
V =基于PLC控制
F =固定
- 20.000兆赫
频率
注: 0.01 μF旁路电容建议的Vcc (引脚4 )和GND (引脚2)之间,以减少电源噪声。
* - 不适用于所有的温度范围。
12/10_A
ILSI美国
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特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。