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C1004 参数 Datasheet PDF下载

C1004图片预览
型号: C1004
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内容描述: 流程C1004 [Process C1004]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 34 K
品牌: IMP [ IMP, INC ]
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®
ISO 9001认证
流程C1004
1.0μm的CMOS
5伏数字
电气特性
N沟道晶体管
阈值电压
身体因素
传导因子
有效沟道长度
宽度侵占
穿通电压
保利场阈值
符号
VT
N
γ
N
β
N
莱夫
N
∆W
N
BVDSS
N
VTF
P( N)
最低
0.55
74
0.60
7
10
典型
0.75
0.60
87
0.75
0.8
T=25
o
C除非另有说明
最大
单位
评论
0.95
V
100x1.0µm
V
1/2
100x1.0µm
100
μA / V
2
100x100µm
0.90
µm
100x1.0µm
µm
每面
V
V
P沟道晶体管
阈值电压
身体因素
传导因子
有效沟道长度
宽度侵占
穿通电压
保利场阈值电压
符号
VT
P
γ
P
β
P
莱夫
P
∆W
P
BVDSS
P
VTF
P(P)
最低
–0.85
24
0.83
–7
–10
典型
–1.0
0.4
28
0.98
0.85
最大
–1.15
32
1.13
单位
V
V
1/2
μA / V
2
µm
µm
V
V
评论
100x1.0µm
100x1.0µm
100x100µm
100x1.0µm
每面
扩散&薄膜
井(场)薄膜电阻
N +薄膜电阻
N +结深
P +薄膜电阻
P +结深
栅氧化层厚度
场氧化层厚度
多晶硅薄膜电阻
金属- 1表面电阻
金属-2表面电阻
钝化厚度
符号
ρ
N阱(F )
ρ
N+
x
JN +
ρ
P+
x
JP +
T
葡萄糖氧化酶
T
ρ
POLY
ρ
M1
ρ
M2
T
最低
0.8
20
60
15
典型
1.0
35
0.45
80
0.5
20
700
22
50
30
200+900
最大
1.22
50
100
30
单位
KΩ/
Ω/
µm
Ω/
µm
nm
nm
Ω/
mΩ/
mΩ/
nm
评论
N阱
氧化+尼特。
电容
栅氧化层
金属-1至POLY 1
金属- 1硅
金属-2到金属-1-
符号
C
ox
C
M1P
C
管理信息系统
C
MM
最低
1.52
典型
1.64
0.046
0.028
0.038
最大
1.82
单位
FF /微米
2
FF /微米
2
FF /微米
2
FF /微米
2
评论
©进出口公司
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