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C3013 参数 Datasheet PDF下载

C3013图片预览
型号: C3013
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内容描述: CMOS 3毫米10伏的单金属模拟 [CMOS 3mm 10 Volt Single Metal Analog]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 29 K
品牌: IMP [ IMP, INC ]
 浏览型号C3013的Datasheet PDF文件第2页  
®
ISO 9001认证
流程C3013
CMOS 3μm的
10伏的单金属模拟
电气特性
T=25
o
C除非另有说明
N沟道晶体管
阈值电压
身体因素
传导因子
有效沟道长度
宽度侵占
穿通电压
保利场阈值电压
符号
VT
N
γ
N
β
N
莱夫
N
∆W
N
BVDSS
N
VTF
P( N)
最低
0.6
42
2.85
12
12
典型
0.8
0.6
47
3.2
0.7
最大
1.0
52
3.55
单位
V
V
1/2
μA / V
2
µm
µm
V
V
评论
100x4µm
100x4µm
100x100µm
100x4µm
每面
P沟道晶体管
阈值电压
身体因素
传导因子
有效沟道长度
宽度侵占
穿通电压
保利场阈值电压
符号
VT
P
γ
P
β
P
莱夫
P
∆W
P
BVDSS
P
VTF
P(P)
最低
–0.6
13
2.85
–12
–12
典型
–0.8
0.55
15
3.2
0.9
最大
–1.0
19
3.55
单位
V
V
1/2
μA / V
2
µm
µm
V
V
评论
100x4µm
100x4µm
100x100µm
100x4µm
每面
扩散&薄膜
井(场)薄膜电阻
N +薄膜电阻
N +结深
P +薄膜电阻
P +结深
栅氧化层厚度
Interpoly氧化层厚度
多晶硅栅薄膜电阻
底部聚表RES 。
金属- 1表面电阻
钝化厚度
符号
ρ
P阱(F )
ρ
N+
x
JN +
ρ
P+
x
JP +
T
葡萄糖氧化酶
T
P1P2
ρ
POLY1
ρ
POLY2
ρ
M1
T
最低
3.2
16
50
44
15
15
典型
4.8
21
0.8
80
0.7
48
60
22
22
30
200+900
最大
6.5
27
100
52
30
30
60
单位
KΩ/
Ω/
µm
Ω/
µm
nm
nm
Ω/
Ω/
mΩ/
nm
评论
P阱
氧化+尼特。
电容
栅氧化层
金属-1至聚-1-
金属- 1硅
聚-1-对聚-2-
符号
C
OX
C
M1P
C
M1S
C
P1P2
最低
0.66
0.026
0.51
典型
0.72
0.0523
0.030
0.57
最大
0.78
0.034
0.63
单位
FF /微米
2
FF /微米
2
FF /微米
2
FF /微米
2
评论
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