IMP38C/HC/42/3/4/5
应用信息
该IMP38C和IMP38HC设备与通用兼容
384X PWM器件。下面的讨论凸显了昼夜温差
ferences和进出口的“C”和“ HC ”的设计优势。
瞬态保护
良好的高频布局的做法应该得到遵守。避免
长期印刷电路走线和元器件引线。找到振荡器
和补偿元件附近的IC 。避免电容和
开关波形的感应耦合到
错误的高阻抗输入放大器，振荡器和
电流检测放大器。 V
REF
和V
CC
稳定性将受资助
采用高频去耦电容。
启动电流
IMP的BiCMOS工艺使得大幅减少
启动电流。典型的启动电流为95μA ，与马克西
120μA的妈妈限制。低启动电流，可以耐高，
低功率，启动电阻来提供控制器启动
力。
欠压锁定
几个不同的阈值是可用的。
工作电流
工作电流已经降低到1.5毫安最大。
相比所需的典型的双极控制器11毫安和
6毫安竞争的BiCMOS控制器， IMP的低运营
电流使控制器运行温度更低，具有更好的艾菲
效率。另外，在V
CC
套牢电容（用于在
启动）可被减少。
欠压锁定阈值
初创于8.4V
经营最小值= 7.6V
IMP38C43/HC43
IMP38C45/HC45
初创于14.5V
经营最小值= 9.0V
IMP38C42/HC42
IMP38C44/HC44
38C/HC_t04.eps
输出驱动器
该IMP38HC4x / 38C4x CMOS输出级驱动外部
功率MOSFET的整个电源电压。低导通电阻
和高的峰值电流的驱动器结合起来，得到大于1000pF的
栅极电容驱动能力。上升和下降时间的要求
可能要求输出电容的适当的值。内
输出容量和控制器电源耗散的限制
化，开关频率可超过1MHz的。
在CMOS输出级“突破前先”行动瓜拉尼
设计开球，并确保没有交叉导通电流
流动。这最大限度地减少散热，提高了效率，
提高了可靠性。
欠压锁定（ UVL ）的性能得到了提高。
当电源电压低于启动电压，
内部电路将输出到低阻抗状态，
可将输出设置为零。输出将吸收20mA电流，在这
受控状态，并仍低于1.3V ，远低于开启
外部MOSFET的阈值电压。
随着IMP38C / HC4x输出级设计，漏电流
从外部功率MOSFET不会强制PWM输出
上升并打开外部MOSFET上。
即使V
DD
下降到零伏， OUT引脚不会上涨
上述约1.3V ，因为UVLO电路供电
通过OUT引脚。
在IMP输出级性能UVL模式，而那颗
20mA时，表示在
图2中。
V
OUT
同时下沉20毫安
2.0
IMP38C/HC4x
振荡器运行
两个外部元件， RT和CT ，设定开关频率。
随着V
CC
= 14V ， RT = 10K和CT =为3.3nF ，额定开关
频率为50kHz 。
V
REF
RT
1.5
输出（V ）
IMP38C4x
IMP38HC4x
频率
[
Hz
]
=
1.73
RT
[
Ω
]
×
CT
[
F
]
RT / CT
1.0
CT
GND
0.5
38C/HC_07.eps
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
图1.振荡器组件选择
V
DD
(V)
38C/HC_05b.eps
在UVL模式图2.输出舞台表演
6
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