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11N60S5 参数 Datasheet PDF下载

11N60S5图片预览
型号: 11N60S5
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内容描述: 酷MOS ™功率晶体管 [Cool MOS⑩ Power Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 12 页 / 335 K
品牌: INFINEON [ INFINEON TECHNOLOGIES AG ]
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SPP11N60S5, SPB11N60S5
SPI11N60S5
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
140
SPP11N60S5
2 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0 ,
T
C
=25°C
10
2
W
A
120
110
100
10
1
P
tot
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
10
-1
10
0
I
D
90
tp = 0.001 ms
tp = 0.01 ms
tp = 0.1 ms
tp = 1 ms
DC
°C
160
10
-2 0
10
10
1
10
2
T
C
10
V
V
DS
3
3 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(t
p
)
parameter:
D
=
t
p
/T
10
1
4 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 10 µs,
V
GS
35
K/W
A
10
0
25
10
-1
20V
12V
10V
Z
thJC
I
D
20
9V
10
-2
10
-3
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
single pulse
15
8V
10
7V
5
6V
10
-4
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
s
t
p
10
-1
0
0
5
10
15
V
DS
25
V
Rev. 2.1
Page 5
2004-03-30